台湾专利TW201312656A 於阻障表面上之鈷沉積

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
本發明之實施例提供一種在一阻障層上沉積一鈷層並接著沉積一導電材料，如銅或一銅合金於其上的製程。在一實施例中，提供一沉積材料於一基材表面的方法，其包括以下步驟：在一基材上形成一阻障層，於氣相沉積製程(例如CVD或ALD)期間暴露此基材至二鈷六羰基丁基乙炔(CCTBA)及氫(H2)以在該阻障層上形成一鈷層，及沉積一導電材料於此鈷層之上。在某些範例中，此阻障層及/或此鈷層於如熱製程、原位電漿製程或遠距電漿製程之處理製程期間可暴露至一氣體或一試劑。
公开号:TW201312656A
申请号:TW101146410
申请日:2009-08-21
公开日:2013-03-16
发明作者:Jiang Lu；Hyoung-Chan Ha；Paul Ma；Seshadri Ganguli；Joseph F Aubuchon；Sang-Ho Yu；Murali Narasimhan
申请人:Applied Materials Inc；
IPC主号:H01L21-00

专利说明:
於阻障表面上之鈷沉積
本發明之實施例大致有關用於製造電子及半導體元件的金屬化製程，更詳言之，本發明之實施例為有關在沉積一導電層或接觸材料於阻障層前沉積一鈷層於阻障層的方法。
銅為目前選用於多層金屬化製程的金屬，其對元件的製造為重要的。多層互連迫使製造製程要求高深寬比之孔的平坦化，該孔包括觸點、通孔、線及其他特徵。當特徵具有較高深寬比時，填充此特徵而不產生空隙或形變此特徵之幾何為更困難的。因製造者力求電路密度及品質，可靠地形成互連亦較困難。
因為銅相對低成本及製程性質，銅的使用已擴展至市場，故半導體製造商持續關注藉由減少銅擴散與抗濕潤性以改良在銅與介電材料間之邊界區的方法。因特徵尺寸已減小，已開發數種製程方法以製造銅互連。每一製程方法可增加誤差的可能性，如銅擴散越過邊界區、銅結晶結構變形及抗濕潤。物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、電化學電鍍(ECP)、無電沉積、化學機械研磨(CMP)、電化學機械研磨(ECMP)及其他沉積與移除銅層的方法利用機械、電或化學方法以操作形成互連的銅。可沉積阻障及覆蓋層以含有銅。
過去，使用一具有錫、鋁或鎂的鉭、氮化鉭或銅合金層提供在銅與其他材料間的阻障層或一黏合促進劑。此些選擇通常成本高且僅部份有效。因沿此邊界區的銅原子在多重步驟半導體處理期間遭受一般在温度、壓力、大氣條件或其他製程變數的改變，銅可能沿此邊界區移動並成為黏聚的銅。銅亦可能沿此邊界區較不均勻分散並成為抗濕潤的銅。在邊界區的此些改變包括銅原子之應力遷移及電遷移。銅穿越介電層或其他結構之應力遷移及電遷移的增加此生成結構的電阻且減少此生成元件的可靠度。
因此，存在一提升在阻障層上一導電層或接觸材料之安定性與黏合性之需求。亦然，存在改良含銅層之電遷移可靠度的需求，尤其是對於銅線的形成，同時防止銅擴散入鄰近的材料，如介電材料。
本發明之實施例為提供在沉積一導電層於阻障層前沉積一鈷層於阻障層的製程。在一實施例中，提供一沉積材料於基材表面的方法，其包括在基材上形成一阻障層，暴露此基材至二鈷六羰基丁基乙炔(dicobalt hexacarbonyl butylacetylene,CCTBA)及氫(H₂)以於氣相沉積製程期間在該阻障層上形成一鈷層，及沉積一導電材料於此鈷層上。
在一範例中，基材可於熱CVD製程期間暴露於一含有CCTBA及氫的沉積氣體。在另一範例中，基材可接著於ALD製程期間暴露於CCTBA與氫。此基材在CVD或ALD製程期間亦可加熱至一自約100℃至約250℃範圍間的温度。此鈷層沉積少於約40Å的厚度。
在某些範例中，阻障層及/或鈷層在處理製程期間可暴露至一氣體或一試劑。此處理可為一熱製程、一原位電漿製程或一遠端電漿製程。此氣體或試劑可含有或為氮(N₂)、氨(NH₃)、氫(H₂)、氨/氫混合物、矽烷、二矽烷、氦、氬、其之電漿、其之衍生物或其等之組合。此阻障層或此鈷層可暴露於此氣體、試劑或電漿約1秒至約30秒範圍內的一段時間。此基材在處理製程期間可加熱至約50℃至約400℃之温度範圍。
在某些範例中，此導電材料可含有銅或銅合金。此導電材料可含有一種晶層及塊體層(bulk layer)。或者，此導電材料可直接沉積於此鈷層上，如藉由電化學電鍍(ECP)製程。在一範例中，一含有銅的種晶層可藉由PVD製程或CVD製程沉積。在另一範例中，此塊體層含有銅且可藉由一ECP製程沉積。此阻障層可含有鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢、其之合金、其之衍生物或其等之組合。在一範例中，此阻障層可為一配置在鉭層上的氮化鉭層。
在另一實施例中，提供一種用於在一基材表面上沉積材料的方法，其包括以下步驟：在一基材上形成一阻障層，在預處理製程期間暴露該阻障層至第一電漿，暴露該基材至CCTBA及氫以於氣相沉積製程期間在該阻障層上形成一鈷層，於後處理製程期間暴露該鈷層至一第二電漿，及藉由一氣相沉積製程沉積一銅層於該鈷層上，如藉由一PVD製程或CVD製程。
在另一實施例中，提供一種用於在一基材表面上沉積材料的方法，其包括以下步驟：在一基材上形成一阻障層，在預處理製程期間暴露此阻障層至一電漿，暴露該基材至CCTBA及一還原氣體以於氣相沉積製程期間在該阻障層上形成一鈷層，於後處理製程期間暴露該鈷層至一氫電漿，及沉積一銅材料於該鈷層之上。在一範例中，此用於沉積該鈷層之氣相沉積製程及該後-處理製程為依序重複以形成一鈷材料。此鈷材料含有多鈷層，其中每一者在另一鈷層沉積前已暴露至一氫電漿。
本發明之實施例為提供在沉積一導電層於阻障層前沉積一鈷層於阻障層或層的方法。此鈷層及阻障層可各自可選擇地暴露至一處理製程，如電漿製程或一熱製程。此導電層可含有銅或一銅合金且藉由物理氣相沉積(PVD)製程、原子層沉積(ALD)製程、電化學電鍍(ECP)製程或一無電沉積製程沉積。此鈷層改良銅邊界區性質以促進黏合性、改良溝槽填充及電移動性能、減少擴散及黏聚並助長在製程期間基材表面的均勻的粗糙度與濕潤性。
第1圖圖示一說明本發明實施例之製程100的流程圖。製程100可用於在一基材上形成一互連或其他元件。在一實施例中，製程100之步驟110-150可在基材200上進行，如在第2A-2F圖中圖示。製程100包括在一基材上沉積或形成一阻障層(步驟110)，可選擇地暴露此阻障層至一預處理製程(步驟120)，沉積一鈷層於此阻障層上(步驟130)，可選擇地暴露此鈷層至一後處理製程(步驟140)，及沉積至少一個導電層於此鈷層上(步驟150)。
第2A圖圖示含有配置於下層202之上的介電層204之基材200。孔206形成於介電層204內且可為一通孔、鑲嵌、穿孔或其他形成於其內的通道。下層202可為一基材、基材表面、接觸層或視元件結構而定的另一層。介電層204可含有一介電材料，如一低k介電材料。在一範例中，介電層204含有一低k介電材料，如一碳氧化矽材料，或一碳摻雜之氧化矽材料，例如BLACK DIAMOND^® II低k介電材料，其可得自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。用於介電層204之合宜材料的另一範例為碳化矽基膜，其係使用如述於共同讓渡之美國專利第6,537,733、6,790,788及6,890,850號的化學氣相沉積(CVD)或電漿輔助CVD(PE-CVD)製程形成，該些專利併入本案做為參考。
在一實施例中，在製程100之步驟110期間至少一個阻障層或材料可沉積或形成於一基材上。在一範例中，第2B圖圖示阻障層210配置於基材200上、在介電層204之上，並共形地位於孔206內。阻障層210可為一層或多層。阻障層210可含有鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、氮化鎢、其等之矽化物、其等之衍生物或其等之組合。在某些實施例中，阻障層210可含有鉭/氮化鉭，鈦/氮化鈦或鎢/氮化鎢之雙層。阻障層210可具有一在自約5Å至約50Å範圍間的厚度，較佳為自約10Å至約30Å，且可藉由PVD、ALD、電漿輔助ALD(PE-ALD)、CVD、PE-CVD、脈衝-CVD或其等之組合形成或沉積。
在一範例中，阻障層210含有藉由PVD製程沉積之金屬鉭的一下層及一藉由另一PVD製程沉積一配置在此氮化鉭下層之上的上層。在另一範例中，阻障層210含有藉由ALD製程沉積之金屬鉭的一下層及一藉由CVD製程沉積一配置於此氮化鉭下層之上的上層。在另一範例中，阻障層210含有藉由PVD製程沉積之金屬鉭的一下層及一藉由CVD製程沉積一配置此氮化鉭下層之上的上層。
例如，阻障層210可含有使用CVD製程或一ALD製程沉積的氮化鉭，其中含鉭化合物或鉭先驅物(例如，PDMAT)與氮先驅物(例如氨)反應。在一實施例中，鉭及/或氮化鉭藉由述於共同讓渡之於2002年10月25日申請之美國專利申請案第10/281,079號，且以US 2003-0121608公開之專利申請案中的ALD製程沉積為一阻障層210，該專利併入本案做為參考。在一範例中，Ta/TaN雙層可沉積為一阻障層210，如各自以ALD、CVD及/或PVD製程以任何順序沉積一層於另一層上之一金屬鉭層及一氮化鉭層。
在另一範例中，一Ti/TiN雙層可沉積為一阻障層210，如各自以ALD、CVD及/或PVD製程以任何順序沉積一層於另一層上之一金屬鈦層及一氮化鈦層。在另一範例中，一W/WN雙層可沉積為一阻障層210，如各自以ALD、CVD及/或PVD製程以任何順序沉積一層於另一層上之一金屬鎢層及一氮化鎢層。
在步驟120，阻障層210可選擇地暴露至一預處理製程，如一電漿製程或一熱製程。在電漿或熱預處理製程期間可暴露至基材200之製程氣體及/或試劑包括氫(例如，H₂或原子-H)、氮(例如，N₂或原子-N)、氨(NH₃)、氫與氨混合物(H₂/NH₃)、聯胺(N₂H₄)、矽烷(SiH₄)、二矽烷(Si₂H₆)、氦、氬、其之衍生物、其之電漿或其等之組合。製程氣體可以在自約500 sccm至約10 slm範圍間之流速流入至此製程腔室或暴露至此基材，較佳為自約1 slm至約6 slm，例如約3 slm。
在一實施例中，在步驟120於此預處理製程期間，基材200及阻障層210可暴露至一電漿以除去阻障層210之污染物。基材200可置於一製程腔室內且曝於一製程氣體，該氣體可點燃以形成電漿。製程氣體可含有一種氣體化合物或多種氣體化合物。基材200可在室温(例如23℃)，但通常預熱至後續沉積製程的需求温度。基材200可加熱至自約100℃至約400℃範圍間之温度，較佳為自約125℃至約350℃，且更佳為約150℃至約300℃，如約200℃或約250℃。
此製程腔室可產生一原位電漿或裝設有一遠距電漿源(RPS)。在一實施例中，基材200可暴露至此電漿(例如，原位或遠距)自約0.5秒至約90秒之範圍間的一段時間，較佳為自約10秒至約60秒，且更佳為自約20秒至約40秒。此電漿在功率為自約100瓦特至約1,000瓦特範圍間產生，較佳為約200瓦特至約600瓦特，且更佳為約300瓦特至約500瓦特。此製程腔室通常具有一為約100托耳或更少之內部壓力，如在自約0.1托耳至約100托耳範圍間，較佳為自約0.5托耳至約50托耳，且更佳為自約1托耳至約10托耳。
在一範例中，基材200及阻障層210可暴露至由氫、氨、氮或其等之混合物產生的電漿。在另一範例中，基材200及阻障層210可暴露至由氫及氨產生的電漿。在另一範例中，基材200及阻障層210可暴露至由氫、氮、矽烷、二矽烷或其等之混合物產生的電漿。在另一範例中，基材200及阻障層210可暴露至由氫、氮、氬、氦或其等之混合物產生的電漿。
在另一實施例中，在步驟120，基材200及阻障層210於熱預處理製程期間可暴露至一製程氣體以除去阻障層210之污染物。此熱預處理製程可為一快速熱製程(RTP)或一快速熱退火(RTA)製程。基材200可置於一製程腔室內且曝於至少一製程氣體及/或試劑。此製程腔室可為一用於後續沉積製程之沉積腔室，如一PVD腔室、一CVD腔室或一ALD腔室。或者，此製程腔室可為一熱退火腔室，如RADIANCE^® RTA腔室，其可購自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。基材200可加熱至自約25℃至約800℃範圍間之温度，較佳為自約50℃至約400℃，且更佳為自約100℃至約300℃。基材200可加熱自約2分鐘至約20分鐘範圍間的一段時間，較佳為自約5分鐘至約15分鐘。例如，基材200在此製程腔室中可加熱至約400℃約12分鐘。
在一範例中，基材200及阻障層210當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氨、氮或其等之混合物。在另一範例中，基材200及阻障層210當在此製程腔室中加熱時可曝於氨/氫混合物。在另一範例中，基材200及阻障層210當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氮、矽烷、二矽烷或其等之混合物。在另一範例中，基材200及阻障層210當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氮、氬、氦或其等之混合物。
在另一實施例中，在製程100之步驟130期間，至少鈷材料或層可沉積或形成於此基材上。在一範例中，第2C圖說明鈷層220配置於基材200上，在阻障層210之上，且在孔206內共形。鈷層220通常為單一層，但可含有多層。鈷層220在遍及阻障層210上可為一連續或一不連續層。鈷層220可具有一約40Å或更少的厚度，如在自約2Å至約40Å之範圍間，較佳為約5Å至約30Å。鈷層220可藉由一氣相沉積製程，如CVD、PE-CVD、脈衝CVD、ALD、PE-ALD或PVD形成或沉積。此電漿輔助氣相沉積製程，亦即PE-CVD及PE-ALD，在此製程腔室內可為一原位電漿製程，或可為一遠距電漿製程以致電漿可藉由一RPS點燃並直接進入此製程腔室。在許多範例中，鈷層220含有金屬鈷。或者，在其他範例中，鈷層220可含有一種或更多種鈷材料，如金屬鈷、矽化鈷、硼化鈷、磷化鈷、其之合金、其之衍生物或其等之組合。
在某些實施例中，鈷層220可在熱CVD製程、脈衝-CVD製程、PE-CVD製程或脈衝PE-CVD製程期間藉由同時導入一鈷先驅物與一試劑至製程腔室而形成或沉積。在其他實施例中，此鈷先驅物可在熱CVD製程、脈衝CVD製程、PE-CVD製程或脈衝PE-CVD製程期間於無一試劑下導入至此製程腔室。或者，在其他實施例中，鈷層220可在熱ALD製程或PE-ALD製程期間藉由依序導入一鈷先驅物與一試劑至製程腔室而形成或沉積。
在某些範例中，鈷層220可含有金屬鈷，但在其他範例中，可含有其他鈷材料。可藉由本文描述之CVD或ALD製程形成鈷材料(例如，金屬鈷或鈷合金)之合宜鈷驅物包括鈷羰基錯合物、鈷脒化合物、雙環戊二烯鈷化合物、鈷二烯基錯合物、鈷亞硝基錯合物、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。在某些實施例中，鈷材料可藉由更進一步描述於共同讓渡之美國專利第7,264,846及7,404,985號中的CVD與ALD製程沉積，該些專利併入本案做為參考。
在某些實施例中，可使用鈷羰基化合物或錯合物做為鈷先驅物。鈷羰基化合物或錯合物具有化學通式(CO)_xCo_yL_z，其中X可為1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或12，Y可為1、2、3、4或5，及Z可為1、2、3、4、5、6、7或8。此基團L為不存在、一配位體或多個配位體，其可為相同配位體或不同配位體，且包括環戊二烯基、烷基環戊二烯基(例如甲基環戊二烯基或五甲基環戊二烯基)、戊二烯基、烷基戊二烯基、環丁二烯基、丁二烯基、乙烯基、烯丙基(或丙烯基)、烯、二烯、炔、乙炔、丁基乙炔、亞硝基、氨、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。
在一實施例中，在沉積製程期間可使用二鈷六羰基乙醯基化合物以形成鈷材料(例如，鈷層220)。二鈷六羰基乙醯基化合物可具有化學通式(CO)₆Co₂(RC≡CR')，其中R及R'為獨立選自氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第三丁基、戊基、苯甲基、芳香族羥基、其之異構物、其之衍生物或其等之組合。在一範例中，二鈷六羰基丁基乙炔(CCTBA，(CO)₆Co₂(HC≡C^tBu))為此鈷先驅物。二鈷六羰基乙醯基化合物之其他範例包括二鈷六羰基甲基丁基乙炔((CO)₆Co₂(MeC≡C^tBu))、二鈷六羰基苯基乙炔((CO)₆Co₂(HC≡CPh))、二鈷六羰基甲基苯基乙炔((CO)₆Co₂(MeC≡CPh))、二鈷六羰基甲基乙炔((CO)₆Co₂(HC≡CMe))、二鈷羰基二甲基乙炔((CO)₆Co₂(MeC≡CMe))、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。其他範例之鈷羰基錯合物包括環戊二烯基鈷雙(羰基)(CpCo(CO)₂)、三羰基烯丙基鈷((CO)₃Co(CH₂CH=CH₂))、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。
在另一實施例中，可使用鈷脒酸鹽或鈷醯胺錯合物做為鈷先驅物。鈷醯胺錯合物具有化學通式(RR’N)_xCo，其中X可為1、2或3，且R與R’獨立為氫、甲基、乙基、丙基、丁基、烷基、矽烷基、烷基矽烷基、其之衍生物或其等之組合。一些範例之鈷醯胺錯合物包括雙(二(丁基二甲基矽烷基)醯胺)鈷(((BuMe₂Si)₂N)₂Co)、雙(二(乙基二甲基矽烷基)醯胺)鈷(((EtMe₂Si)₂N)₂Co)、雙(二(丙基二甲基矽烷基)醯胺)鈷(((PrMe₂Si)₂N)₂Co)、雙(二(三甲基矽烷基)醯胺)鈷(((Me₃Si)₂N)₂Co)，三(二(三甲基矽烷基)醯胺)鈷(((Me₃Si)₂N)₃Co)、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。
一些範例之鈷先驅物包括甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)(MeCpCo(CO)₂)、乙基環戊二烯基鈷雙(羰基)(EtCpCo(CO)₂)、五甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)(Me₅CpCo(CO)₂)、二鈷八(羰基)(Co₂(CO)₈)、亞硝基鈷三(羰基)((ON)Co(CO)₃)、雙(環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(環己二烯基)、環戊二烯基鈷(1,3-己二烯基)、(環丁二烯基)鈷(環戊二烯基)、雙(甲基環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(5-甲基環戊二烯基)，雙(乙烯)鈷(五甲基環戊二烯基)、四羰基碘化鈷、鈷四羰基三氯矽烷、羰基氯三(三甲基膦)鈷、鈷三羰基-氫三丁基膦、乙炔二鈷六羰基、乙炔二鈷五羰基三乙基膦、其之衍生物、其之錯合物、其之電漿或其等之組合。
在某些範例中，當藉由本文描述之製程形成鈷材料(例如，金屬鈷或鈷合金)時，可使用交替試劑與鈷先驅物反應，該試劑包括還原劑，其包括氫(例如，H₂或原子-H)、氮(例如，N₂或原子-N)、氨(NH₃)、聯胺(N₂H₄)、一氫與氨之混合物(H₂/NH₃)、硼烷(BH₃)、二硼烷(B₂H₆)、三乙基硼烷(Et₃B)、矽烷(SiH₄)、二矽烷(Si₂H₆)、三矽烷(Si₃H₈)、四矽烷(Si₄H₁₀)、甲基矽烷(SiCH₆)、二甲基矽烷(SiC₂H₈)、膦(PH₃)、其之衍生物、其之電漿或其等之組合。
在一實施例中，含金屬鈷的鈷層220在熱CVD製程期間藉由同時將基材200暴露至一鈷先驅物氣體與一還原劑而沉積。在一可替代的實施例中，含金屬鈷的鈷層220在電漿輔助CVD製程期間藉由同時將基材200暴露至一鈷先驅物氣體與一還原劑而沉積。此電漿源可為在CVD腔室內的原位電漿源或裝設在CVD腔室外的RPS。此鈷先驅物氣體可藉由將一載體氣體(例如，氮或氬)通過一鈷先驅物(例如，CCTBA)安瓿而形成。此還原劑氣體可為單一化合物(例如，H₂)，且因此不具有載體氣體。或者，此還原劑氣體可藉由將載體氣體通過一還原劑安瓿而形成。
此安瓿的加熱可依製程期間使用之鈷先驅物或還原劑而定。在一範例中，一含有鈷先驅物的安瓿，如二鈷六羰基乙醯基化合物或其他鈷羰基化合物(例如，(CO)_xCo_yL_z)可加熱至一自約30℃至約500℃範圍間的温度。此鈷先驅物氣體通常具有一自約100 sccm(每分鐘標準立方公分(standard cubic centimeters per minute))至約2,000 sccm範圍間之流速，較佳為自約200 sccm至約1,000 sccm，且更佳為自約300 sccm至約700 sccm，例如約500 sccm。此還原劑氣體通常具有一自約0.5 slm(每分鐘標準升(standard liters per minute))至約10 slm範圍間之流速，較佳為自約1 slm至約8 slm，且更佳為自約2 slm至約6 slm。在一範例中，還原劑氣體為氫且具有一自約2 slm至約6 slm範圍間之流速，如約4 slm。
此鈷先驅物氣體及此還原劑氣體於沉積製程期間可在進入製程腔室前、當時或之後組合以形成一沉積氣體以沉積鈷層220。基材200可置於一製程腔室內且可加熱至自約25℃至約800℃範圍間之温度，較佳為自約50℃至約400℃，且更佳為自約100℃至約250℃，如約150℃。一旦在預定温度，基材200可暴露至含有鈷先驅物氣體與還原劑氣體的沉積氣體自約0.1秒至約120秒範圍間的一段時間，較佳為自約1秒至約60秒，且更佳為自約5秒至約30秒。例如，基材200當於CVD製程期間形成鈷層220時，其在此製程腔室中可加熱至約150℃約10分鐘。
在步驟140，鈷層220可選擇地曝於一後處理製程，如一電漿製程或一熱製程。在電漿或熱後處理製程期間可曝於基材200及鈷層220的製程氣體及/或試劑包括氫(例如，H₂或原子-H)、氮(例如，N₂或原子-N)、氨(NH₃)、一氫與氨之混合物(H₂/NH₃)、聯腔(N₂H₄)、矽烷(SiH₄)、二矽烷(Si₂H₆)、氦、氬、其之衍生物、其之電漿或其等之組合。此製程氣體可以自約500 sccm至約10 slm範圍間的流速流入此製程腔室或曝至基材，較佳為自約1 slm至約6 slm，例如約3 slm。
在一實施例中，在步驟140於此後處理製程期間，基材200及鈷層220可暴露至一電漿以除去鈷層220之污染物。基材200可置於一製程腔室內且曝於一製程氣體，該氣體可點燃以形成電漿。此製程氣體可含有一氣體化合物或多個氣體化合物。基材200可在室温(例如23℃)，但通常預熱至後續沉積製程的需求温度。基材200可加熱至自約100℃至約400℃範圍間之温度，較佳為自約125℃至約350℃，且更佳為自約150℃至約300℃，如約200℃或約250℃。
此製程腔室可產生一原位電漿或裝設有一RPS。在一實施例中，基材200可暴露至此電漿(例如，原位或遠距)自約0.5秒至約90秒之範圍間的一段時間，較佳為自約10秒至約60秒，且更佳為自約20秒至約40秒。此電漿在功率為自約100瓦特至約1,000瓦特範圍間產生，較佳為自約200瓦特至約600瓦特，且更佳為自約300瓦特至約500瓦特。此製程腔室通常具有一內部壓力為約100托耳或更少，如在自約0.1托耳至約100托耳範圍間，較佳為自約0.5托耳至約50托耳，且更佳為自約1托耳至約10托耳。
在一範例中，基材200及鈷層220可暴露至由氫、氨、氮或其等之混合物產生的電漿。在另一範例中，基材200及鈷層220可暴露至由氫及氨產生的電漿。在另一範例中，基材200及鈷層220可暴露至由氫、氮、矽烷、二矽烷或其等之混合物產生的電漿。在另一範例中，基材200及鈷層220可暴露至由氫、氮、氬、氦或其等之混合物產生的電漿。
在某些範例中，基材200及鈷層220可曝至由RPS點燃之氫氣產生的氫電漿。鈷層220可曝至具自約2 slm至約4 slm範圍間之流速的氫氣體。此製程腔室可具有一內部壓力自約1托耳至約10托耳範圍間，且此電漿係藉由具自約300瓦特至約500瓦特範圍間之功率的RPS點燃。在一實施例中，此電漿對於每一具有自約7Å至約10Å範圍間厚度的鈷材料沉積層係曝至鈷層220自約20秒至約40秒範圍間的一段時間。當形成鈷層220時，可在沉積鈷材料之多層後進行多重處理。
在另一實施例中，在步驟140於此後處理製程期間，基材200及鈷層220可暴露至一製程氣體以除去鈷層220之污染物。此熱後處理製程可為一RTP或RTA製程。基材200可置於一製程腔室內且曝於至少一種製程氣體及/或試劑。此製程腔室可為一在先前沉積製程使用或將在後續沉積製程使用之沉積腔室，如一PVD腔室、一CVD腔室或一ALD腔室。或者，此製程腔室可為一熱退火腔室，如RADIANCE^® RTA腔室，其可購自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。基材200可加熱至自約25℃至約800℃範圍間之温度，較佳為自約50℃至約400℃，且更佳為自約100℃至約300℃。基材200可加熱自約2分鐘至約20分鐘範圍間的一段時間，較佳為自約5分鐘至約15鐘。例如，基材200在此製程腔室中可加熱至約400℃約12分鐘。
在一範例中，基材200及鈷層220當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氨、氮或其等之混合物。在另一範例中，基材200及鈷層220當在此製程腔室中加熱時可曝於氨/氫混合物。在另一範例中，基材200及鈷層220當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氮、矽烷、二矽烷或其等之混合物。在另一範例中，基材200及鈷層220當在此製程腔室中加熱時可曝於氫、氮、氬、氦或其等之混合物。
第2C圖圖示在基材200上於介電層204內形成孔206。孔206含有共形配置於其內的阻障層210及鈷層220。在另一實施例中，在製程100之步驟150期間，一導電層可沉積或形成於鈷層220上。在一實施例中，此導電層為塊體層240，其可直接沉積於鈷層220上，如在第2D圖中所圖示。或者，在另一實施例中，此導電層為種晶層230及塊體層240。種晶層230可沉積遍及鈷層220且接著塊體層240可沉積遍及種晶層230，如在第2E-2F圖中說明。
種晶層230及塊體層240可在單一沉積製程或多重沉積製程期間沉積或形成。種晶層230可含有銅、鎢、鋁、釕、鈷、銀、鉑、鈀、其之合金、其之衍生物或其等之組合。塊體層240可含有銅、鎢、鋁、其之合金、其之衍生物或其等之組合。通常，種晶層230及塊體層240可獨立含有銅、鎢、鋁、其之合金、其之衍生物或其等之組合。種晶層230及塊體層240可獨立地藉由使用一或一以上的沉積製程沉積，如一CVD製程、ALD製程、PVD製程、無電沉積製程、ECP製程、其之衍生物或其等之組合。
在一範例中，種晶層230及塊體層240之每一者含有銅或一銅合金。例如，含有銅之種晶層230可藉由PVD製程形成於鈷層220上，且接著含有銅之塊體層240可藉由ECP製程或無電沉積製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有銅之種晶層230可藉由ALD製程形成於鈷層220上，且接著含有銅之塊體層240可藉由ECP製程或無電沉積製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有銅之種晶層230可藉由CVD製程形成於鈷層220上，且接著含有銅之塊體層240可藉由ECP製程或無電沉積製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有銅之種晶層230可藉由無電製程形成於鈷層220上，且接著含有銅之塊體層240可藉由ECP製程或無電沉積製程沉積以填充孔206。在另一範例中，鈷層220做為一種晶層，則含有銅之塊體層240可藉由ECP製程或無電沉積製程直接沉積於其上以填充孔206。
在一範例中，種晶層230及塊體層240之每一者含有鎢或一鎢合金。例如，含有鎢之種晶層230可藉由PVD製程形成於鈷層220上，且接著含有鎢之塊體層240可藉由CVD製程或脈衝CVD製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有鎢之種晶層230可藉由ALD製程形成於鈷層220上，且接著含有鎢之塊體層240可藉由CVD製程或脈衝CVD製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有鎢之種晶層230可藉由脈衝CVD製程形成於鈷層220上，且接著含有鎢之塊體層240可藉由CVD製程或脈衝CVD製程沉積以填充孔206。在另一範例中，含有鎢之種晶層230可藉由無電製程形成於鈷層220上，且接著含有鎢之塊體層240可藉由CVD製程或脈衝CVD製程沉積以填充孔206。在另一範例中，鈷層220做為一種晶層，則含有鎢之塊體層240可藉由CVD製程或脈衝CVD製程直接沉積於其上以填充孔206。
在本文實施例中使用的ALD製程腔室係可得自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。ALD製程腔室的詳細說明可見於共同讓渡的美國專利第6,916,398及6,878,206號，共同讓渡之於2002年10月25日申請之美國專利申請案第10/281,079號，且以US 2003-0121608早期公開之專利申請案，及共同讓渡之各別於2006年11月6日申請的美國專利申請號第11/556,745、11/556,752、11/556,756、11/556,758、11/556,763號且以美國專利公開號第2007-0119379、2007-0119371、2007-0128862、2007-0128863及2007-0128864號早期公開之申請案，該些專利併入本案做為參考。在另一實施例中，建構可用於ALD模式以及傳統CVD模式操作以沉積含鈷材料的腔室係描述於共同讓渡之美國專利第7,204,886號，該專利併入本案做為參考。一用於形成含鈷材料的ALD製程之詳細描述更進一步揭露於共同讓渡美國專利第7,264,846及7,404,985號，該些專利併入本案做為參考。在其他實施例中，建構可用於ALD模式以及傳統CVD模式操作以沉積含鈷材料的腔室係TXZ^®噴灑頭及CVD腔室，其可得自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。合宜之氣相沉積腔室的範例包括WXZ^TM CVD腔室，其可購自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。此氣相沉積腔室可適於藉由傳統CVD、脈衝CVD或PE-CVD技術以及藉由ALD與PE-ALD技術沉積材料。亦然，此氣相沉積腔室可用於處理製程，如一原位電漿製程、一遠距電漿製程或熱退火製程。
本文使用之「基材表面」或「基材」係指任何在一基材上形成的基材或材料表面，在其上可於一製造製程期間進行膜處理。例如，一可進行製程的基材表面包括材料如單晶、多晶或非晶矽、應變矽、在絕緣體上矽(SOI)、摻雜矽、矽化鍺、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽及/或碳摻雜氧化矽，如SiO_xC_y，例如BLACK DIAMOND^®低k介電材料，其可得自位於美國加州聖克拉拉市之Applied Materials公司。基材可具有不同尺寸，如100 mm、200 mm、300 mm或450 mm直徑晶圓，以及矩形或方形片。除非特別指明，本發明描述之實施例及範例通常在具有200 mm直徑或300 mm直徑的基材上進行，更佳為300 mm直徑。本發明描述之製程可用於在許多基材及表面上沉積鈷材料(例如，金屬鈷)，尤其是阻障層及層。在本發明之實施例可使用的基材包括但未限制為半導體晶圓，如結晶矽(例如，Si<100>或Si<111>)、氧化矽、應變矽、矽化鍺、摻雜或未摻雜之多晶矽、摻雜或未摻雜之矽晶圓、及圖案化或未圖案化之晶圓。基材可暴露至預處理製程以研磨、蝕刻、還原、氧化、羥化、加熱、及/或退火此基材或基材表面。
雖然前述為有關本發明之實施例，但本發明之其他及進一步的實施例可未偏離本發明之技術之基本視野下完成，且本發明之範疇係由後文之申請專利範圍界定。
100‧‧‧說明製程的流程圖
110、120、130、140、150‧‧‧步驟
200‧‧‧基材
202‧‧‧下層
204‧‧‧介電層
206‧‧‧孔
210‧‧‧阻障層
220‧‧‧鈷層
230‧‧‧種晶層
240‧‧‧塊體層
在前文概述之本發明的更詳細描述可參考實施例，其之部份為說明於附圖中，以此方式，本發明於前文述及的特徵可更詳盡的瞭解。然而，需瞭解附圖僅為用以說明本發明之典型實施例，故因此不能被視為限制本發明的範疇，因為本發明容許其他等效的實施態樣。
第1圖圖示根據本文描述之一實施例說明一製程之流程圖；及第2A-2F圖圖示根據本文描述之一實施例在不同製程步驟中基材的示意圖。
200‧‧‧基材
202‧‧‧下層
204‧‧‧介電層
220‧‧‧鈷層
230‧‧‧種晶層
240‧‧‧塊體層

权利要求:
Claims (52)
[1] 一種用於在一基材上形成一含矽化鈷的材料的方法，包含以下步驟：暴露一基材至至少一個預清潔製程以暴露一含矽表面；在該含矽表面上沉積一矽化鈷材料；在該矽化鈷材料上沉積一金屬鈷材料；以及在該基材上沉積一金屬接觸材料，其中在一矽浸泡(soak)製程期間，該矽化鈷材料或該金屬鈷材料暴露至一含矽的還原氣體以及一電漿處理。
[2] 如請求項1所述之方法，其中該矽化鈷材料與該金屬鈷材料是在相同的處理腔室中沉積。
[3] 如請求項1所述之方法，其中透過在一化學氣相沉積製程或一原子層沉積製程期間將該基材暴露至一鈷先驅物與一矽先驅物，而沉積該矽化鈷材料。
[4] 如請求項3所述之方法，其中該矽化鈷材料包含一矽/鈷原子之比值，該比值大於0.5。
[5] 如請求項4所述之方法，其中該矽/鈷原子之比值在從約1至約2的範圍內。
[6] 如請求項1所述之方法，其中該金屬接觸材料包含一材料，該材料選自由鎢、銅、鋁、以及前述材料之組合所構成的群組。
[7] 如請求項6所述之方法，其中該金屬接觸材料的沉積包含以下步驟：形成一種晶層以及在該種晶層上形成一塊體層。
[8] 如請求項7所述之方法，其中該種晶層包含鎢且該塊體層包含鎢。
[9] 如請求項1所述之方法，其中一阻障材料沉積在該金屬鈷材料上，且該金屬接觸材料沉積在該阻障層上。
[10] 如請求項9所述之方法，其中該阻障材料包含一材料，該材料選自以下材料所構成之群組：鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢、前述材料之合金以及前述材料之衍生物。
[11] 如請求項3所述之方法，其中該鈷先驅物包含一化合物，該化合物選自以下化合物所構成之群組：三羰基烯丙基鈷、環戊二烯基鈷雙(羰基)、甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)、乙基環戊二烯基鈷雙(羰基)、五甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)、二鈷八(羰基)、亞硝基鈷三(羰基)、雙(環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(環己二烯基)、環戊二烯基鈷(1,3-己二烯基)、(環丁二烯基)鈷(環戊二烯基)、雙(甲基環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(5-甲基環戊二烯基)、雙(乙烯)鈷(五甲基環戊二烯基)、前述化合物的衍生物、前述化合物的錯合物、前述化合物的電漿、以及前述化合物的組合。
[12] 如請求項11所述之方法，其中該鈷先驅物包含一環戊二烯基鈷雙(羰基)。
[13] 如請求項3所述之方法，其中該鈷先驅物包含化學通式(CO)_xCO_yL_z，其中：x是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或12；y是1、2、3、4、或5；z是1、2、3、4、5、6、7、或8；以及L是一配位體，獨立地選自以下配位體所構成的群組：環戊二烯基、烷基環戊二烯基、甲基環戊二烯基、五甲基環戊二烯基、戊二烯基、烷基戊二烯基、環丁二烯基、丁二烯基、烯丙基、乙烯、丙烯、烯烴、二烯烴、炔、亞硝基、氨、前述配位體之衍生物、前述配位體之組合。
[14] 如請求項3所述之方法，其中該矽先驅物包含一化合物，該化合物選自由矽烷、二矽烷、前述化合物之衍生物、前述化合物之電漿、與前述化合物之組合所構成的群組。
[15] 如請求項3所述之方法，其中該基材在該化學氣相沉積製程或該原子層沉積製程期間被加熱到至少100℃的溫度。
[16] 如請求項15所述之方法，其中該溫度是在約300℃至約400℃的範圍內。
[17] 如請求項1所述之方法，其中沉積該金屬鈷材料之前，將該矽化鈷材料暴露至一電漿。
[18] 如請求項17所述之方法，其中該電漿是透過一射頻由氫氣生成。
[19] 如請求項3所述之方法，其中該原子層沉積製程期間沉積該矽化鈷材料是透過以下步驟進行：進行一沉積循環以沉積一矽化鈷層；以及重複該沉積循環以形成複數個矽化鈷層，其中該沉積循環包含以下步驟：將該基材暴露到包含該矽先驅物的一還原氣體，同時依序將該基材暴露至該鈷先驅物以及一電漿。
[20] 如請求項19所述之方法，其中該電漿包含一氫電漿。
[21] 如請求項1所述之方法，其中在該矽浸泡製程期間，該矽化鈷材料暴露至該含矽的還原氣體以及該電漿處理。
[22] 如請求項1所述之方法，其中在該矽浸泡製程期間，該金屬鈷材料暴露至該含矽的還原氣體以及該電漿處理。
[23] 如請求項1所述之方法，其中於一脈衝式化學氣相沉積製程期間沉積該矽化鈷材料，此步驟是透過以下步驟進行：進行一沉積循環以沉積一矽化鈷層；以及重複該沉積循環以形成複數個矽化鈷層，其中該沉積循環包含以下步驟：將該基材暴露到一矽先驅物、一鈷先驅物、以及一電漿。
[24] 如請求項1所述之方法，其中該含矽表面包含多晶矽。
[25] 一種用於在一基材上形成一含矽化鈷的材料的方法，包含以下步驟：暴露一基材至至少一個預清潔製程以暴露一含矽表面；在該含矽表面上沉積一矽化鈷材料；將該基材暴露至一退火製程；在該矽化鈷材料上沉積一阻障材料；以及在該阻障材料上沉積一金屬接觸材料，其中在一矽浸泡製程期間，該矽化鈷材料或該阻障材料暴露至一含矽的還原氣體以及一電漿處理。
[26] 如請求項25所述之方法，其中在該退火製程期間在一退火腔室內，該基材被加熱到至少約600℃的溫度。
[27] 如請求項25所述之方法，其中透過在一化學氣相沉積製程或一原子層沉積製程期間將該基材暴露至一鈷先驅物與一矽先驅物，而沉積該矽化鈷材料。
[28] 如請求項27所述之方法，其中該矽化鈷材料包含一矽/鈷原子之比值，該比值大於0.5。
[29] 如請求項28所述之方法，其中該矽/鈷原子之比值在從約1至約2的範圍內。
[30] 如請求項25所述之方法，其中該金屬接觸材料包含一材料，該材料選自由鎢、銅、鋁、以及前述材料之組合所構成的群組。
[31] 如請求項30所述之方法，其中該金屬接觸材料的沉積包含以下步驟：形成一種晶層以及在該種晶層上形成一塊體層。
[32] 如請求項31所述之方法，其中該種晶層包含鎢且該塊體層包含鎢。
[33] 如請求項25所述之方法，其中該阻障材料包含一材料，該材料選自以下材料所構成之群組：鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鎢、氮化鎢、鈷、前述材料之合金以及前述材料之衍生物。
[34] 如請求項27所述之方法，其中該鈷先驅物包含一化合物，該化合物選自以下化合物所構成之群組：三羰基烯丙基鈷、環戊二烯基鈷雙(羰基)、甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)、乙基環戊二烯基鈷雙(羰基)、五甲基環戊二烯基鈷雙(羰基)、二鈷八(羰基)、亞硝基鈷三(羰基)、雙(環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(環己二烯基)、環戊二烯基鈷(1,3-己二烯基)、(環丁二烯基)鈷(環戊二烯基)、雙(甲基環戊二烯基)鈷、(環戊二烯基)鈷(5-甲基環戊二烯基)、雙(乙烯)鈷(五甲基環戊二烯基)、前述化合物的衍生物、前述化合物的錯合物、前述化合物的電漿、以及前述化合物的組合。
[35] 如請求項34所述之方法，其中該鈷先驅物包含一環戊二烯基鈷雙(羰基)。
[36] 如請求項27所述之方法，其中該鈷先驅物包含化學通式(CO)_xCO_yL_z，其中：x是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或12；y是1、2、3、4、或5；z是1、2、3、4、5、6、7、或8；以及L是一配位體，獨立地選自以下配位體所構成的群組：環戊二烯基、烷基環戊二烯基、甲基環戊二烯基、五甲基環戊二烯暴、戊二烯基、烷基戊二烯基、環丁二烯基、丁二烯基、烯丙基、乙烯、丙烯、烯烴、二烯烴、炔、亞硝基、氨、前述配位體之衍生物、前述配位體之組合。
[37] 如請求項27所述之方法，其中該矽先驅物包含一化合物，該化合物選自由矽烷、二矽烷、前述化合物之衍生物、前述化合物之電漿、與前述化合物之組合所構成的群組。
[38] 如請求項27所述之方法，其中該基材在該化學氣相沉積製程或該原子層沉積製程期間被加熱到至少100℃的溫度。
[39] 如請求項38所述之方法，其中該溫度是在約300℃至約400℃的範圍內。
[40] 如請求項25所述之方法，其中沉積該阻障材料之前，將該矽化鈷材料暴露至一電漿。
[41] 如請求項40所述之方法，其中該電漿是透過一射頻由氫氣生成。
[42] 如請求項27所述之方法，其中該原子層沉積製程期間沉積該矽化鈷材料是透過以下步驟進行：進行一沉積循環以沉積一矽化鈷層；以及重複該沉積循環以形成複數個矽化鈷層，其中該沉積循環包含以下步驟：將該基材暴露到包含該矽先驅物的一還原氣體，同時依序將該基材暴露至該鈷先驅物以及一電漿。
[43] 如請求項42所述之方法，其中該電漿包含一氫電漿。
[44] 如請求項42所述之方法，其中在該矽浸泡製程期間，該阻障材料暴露至該含矽的還原氣體。
[45] 如請求項44所述之方法，進一步包含以下步驟：在該矽浸泡製程期間，將該阻障材料暴露至該電漿處理。
[46] 如請求項25所述之方法，其中於一脈衝式化學氣相沉積製程期間沉積該矽化鈷材料，此步驟是透過以下步驟進行：進行一沉積循環以沉積一矽化鈷層；以及重複該沉積循環以形成複數個矽化鈷層，其中該沉積循環包含以下步驟：將該基材暴露到一矽先驅物、一鈷先驅物、以及一電漿。
[47] 如請求項25所述之方法，其中該含矽表面包含多晶矽。
[48] 一種用於在一基材上形成一含金屬矽化物的材料的方法，包含以下步驟：在一反應性預清潔製程期間將一基材暴露至一電漿以暴露一含矽表面，該電漿包含氫、氨、或前述電漿之組合；在該含矽表面上沉積一金屬矽化物材料；在一矽浸泡製程期間將該金屬矽化物材料暴露至一含矽的還原氣體與一電漿處理；在該金屬矽化物材料上沉積一阻障材料；以及沉積一鎢接觸材料覆於該阻障材料上，所述步驟進一步包含以下步驟：在一原子層沉積製程期間，在該阻障材料上沉積一鎢成核層；以及在一化學氣相沉積製程期間，沉積一鎢塊體層覆於該鎢成核層上。
[49] 如請求項48所述之方法，其中該金屬矽化物材料包含至少一個材料，該材料選自由鎢、鎳、鉑、鈀、前述材料之組合、與前述材料之合金所構成的群組。
[50] 如請求項49所述之方法，其中在該矽浸泡製程期間，該阻障材料暴露至該含矽的還原氣體。
[51] 如請求項50所述之方法，進一步包含以下步驟：在該矽浸泡製程期間，將該阻障材料暴露至該電漿處理。
[52] 如請求項48所述之方法，其中該含矽表面包含多晶矽或氧化矽。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI528456B|2016-04-01|於阻障表面上之鈷沉積

US20170321320A1|2017-11-09|Selective cobalt deposition on copper surfaces

US8765601B2|2014-07-01|Post deposition treatments for CVD cobalt films

TWI333234B|2010-11-11|Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials

US9076661B2|2015-07-07|Methods for manganese nitride integration

US20070054487A1|2007-03-08|Atomic layer deposition processes for ruthenium materials

US20060240187A1|2006-10-26|Deposition of an intermediate catalytic layer on a barrier layer for copper metallization

US20070077750A1|2007-04-05|Atomic layer deposition processes for ruthenium materials

EP2837022B1|2018-06-06|Methods for depositing manganese and manganese nitrides

WO2013082370A1|2013-06-06|Doped tantalum nitride for copper barrier applications

同族专利:

公开号 | 公开日

US20150255333A1|2015-09-10|

TW201017763A|2010-05-01|

TWI654684B|2019-03-21|

WO2010025068A2|2010-03-04|

JP2012501543A|2012-01-19|

CN106024598B|2020-11-20|

TWI528456B|2016-04-01|

US20090053426A1|2009-02-26|

US9051641B2|2015-06-09|

WO2010025068A3|2010-05-14|

KR101599488B1|2016-03-07|

KR20110059741A|2011-06-03|

JP6449217B2|2019-01-09|

CN102132383A|2011-07-20|

JP2017085131A|2017-05-18|

CN106024598A|2016-10-12|

US9209074B2|2015-12-08|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US9425155B2|2014-02-25|2016-08-23|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Wafer bonding process and structure|

TWI570261B|2013-09-13|2017-02-11|應用材料股份有限公司|對介電基板上以ｃｃｔｂａ為基礎之ｃｖｄ鈷成核作用進行改良的表面處理|SE393967B|1974-11-29|1977-05-31|Sateko Oy|Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket|

FI57975C|1979-02-28|1980-11-10|Lohja Ab Oy|Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor|

US4389973A|1980-03-18|1983-06-28|Oy Lohja Ab|Apparatus for performing growth of compound thin films|

US4415275A|1981-12-21|1983-11-15|Dietrich David E|Swirl mixing device|

JPS6110667Y2|1981-12-26|1986-04-05|||

FI64878C|1982-05-10|1984-01-10|Lohja Ab Oy|Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer|

US4500409A|1983-07-19|1985-02-19|Varian Associates, Inc.|Magnetron sputter coating source for both magnetic and non magnetic target materials|

JPH0547666B2|1984-07-06|1993-07-19|Asahi Chemical Ind||

US5294286A|1984-07-26|1994-03-15|Research Development Corporation Of Japan|Process for forming a thin film of silicon|

GB2162207B|1984-07-26|1989-05-10|Japan Res Dev Corp|Semiconductor crystal growth apparatus|

JPH0547666Y2|1985-03-15|1993-12-15|||

JPS61174725U|1985-04-22|1986-10-30|||

US5096364A|1986-04-28|1992-03-17|Varian Associates, Inc.|Wafer arm handler mechanism|

US4761269A|1986-06-12|1988-08-02|Crystal Specialties, Inc.|Apparatus for depositing material on a substrate|

US4951601A|1986-12-19|1990-08-28|Applied Materials, Inc.|Multi-chamber integrated process system|

DE3721637A1|1987-06-30|1989-01-12|Aixtron Gmbh|Gaseinlass fuer eine mehrzahl verschiedener reaktionsgase in reaktionsgefaesse|

US4814294A|1987-07-30|1989-03-21|Allied-Signal Inc.|Method of growing cobalt silicide films by chemical vapor deposition|

JPS6428921U|1987-08-12|1989-02-21|||

US4824544A|1987-10-29|1989-04-25|International Business Machines Corporation|Large area cathode lift-off sputter deposition device|

DE3743938C2|1987-12-23|1995-08-31|Cs Halbleiter Solartech|Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht|

FR2628985B1|1988-03-22|1990-12-28|Labo Electronique Physique|Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots|

US5261959A|1988-05-26|1993-11-16|General Electric Company|Diamond crystal growth apparatus|

JP2895506B2|1989-05-12|1999-05-24|東京エレクトロン株式会社|スパッタ装置|

US5186718A|1989-05-19|1993-02-16|Applied Materials, Inc.|Staged-vacuum wafer processing system and method|

EP0415750B1|1989-08-30|1994-11-09|Nec Corporation|Thin-film capacitors and process for manufacturing the same|

DE69129081T2|1990-01-29|1998-07-02|Varian Associates|Gerät und Verfahren zur Niederschlagung durch einen Kollimator|

US5320728A|1990-03-30|1994-06-14|Applied Materials, Inc.|Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity|

US5242566A|1990-04-23|1993-09-07|Applied Materials, Inc.|Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter|

US5225366A|1990-06-22|1993-07-06|The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy|Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors|

US5252807A|1990-07-02|1993-10-12|George Chizinsky|Heated plate rapid thermal processor|

US5483919A|1990-08-31|1996-01-16|Nippon Telegraph And Telephone Corporation|Atomic layer epitaxy method and apparatus|

US5286296A|1991-01-10|1994-02-15|Sony Corporation|Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means|

US5178681A|1991-01-29|1993-01-12|Applied Materials, Inc.|Suspension system for semiconductor reactors|

JP2680202B2|1991-03-20|1997-11-19|国際電気株式会社|気相成長方法及び装置|

US5173327A|1991-06-18|1992-12-22|Micron Technology, Inc.|LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices|

US5480818A|1992-02-10|1996-01-02|Fujitsu Limited|Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor|

JP3126787B2|1992-01-30|2001-01-22|理化学研究所|成膜方法および成膜装置|

JP3103186B2|1992-03-19|2000-10-23|富士通株式会社|原子層エピタキシー装置および原子層エピタキシー法|

US5660744A|1992-03-26|1997-08-26|Kabushiki Kaisha Toshiba|Plasma generating apparatus and surface processing apparatus|

US5306666A|1992-07-24|1994-04-26|Nippon Steel Corporation|Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition|

US5316793A|1992-07-27|1994-05-31|Texas Instruments Incorporated|Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method|

US5338362A|1992-08-29|1994-08-16|Tokyo Electron Limited|Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments|

US5607009A|1993-01-28|1997-03-04|Applied Materials, Inc.|Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor|

US5335138A|1993-02-12|1994-08-02|Micron Semiconductor, Inc.|High dielectric constant capacitor and method of manufacture|

JP3265042B2|1993-03-18|2002-03-11|東京エレクトロン株式会社|成膜方法|

US5443647A|1993-04-28|1995-08-22|The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army|Method and apparatus for depositing a refractory thin film by chemical vapor deposition|

TW271490B|1993-05-05|1996-03-01|Varian Associates||

US5526244A|1993-05-24|1996-06-11|Bishop; Vernon R.|Overhead luminaire|

KR960005377Y1|1993-06-24|1996-06-28|현대전자산업 주식회사|반도체 소자 제조용 스퍼터링 장치|

US6171922B1|1993-09-01|2001-01-09|National Semiconductor Corporation|SiCr thin film resistors having improved temperature coefficients of resistance and sheet resistance|

KR100321536B1|1993-12-28|2002-06-20|히가시 데쓰로|자전관스퍼터링또는자전관에칭용쌍극자고리자석|

US5666247A|1994-02-04|1997-09-09|Seagate Technology, Inc.|No-field, low power FeMn deposition giving high exchange films|

KR970009828B1|1994-02-23|1997-06-18|Sansung Electronics Co Ltd|Fabrication method of collimator|

JP3181171B2|1994-05-20|2001-07-03|シャープ株式会社|気相成長装置および気相成長方法|

US5945008A|1994-09-29|1999-08-31|Sony Corporation|Method and apparatus for plasma control|

US5796116A|1994-07-27|1998-08-18|Sharp Kabushiki Kaisha|Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility|

US5504041A|1994-08-01|1996-04-02|Texas Instruments Incorporated|Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials|

JP2655094B2|1994-08-30|1997-09-17|日本電気株式会社|電子銃蒸着装置|

US5616218A|1994-09-12|1997-04-01|Matereials Research Corporation|Modification and selection of the magnetic properties of magnetic recording media through selective control of the crystal texture of the recording layer|

EP0703598A1|1994-09-26|1996-03-27|Applied Materials, Inc.|Electrode between sputtering target and workpiece|

JP2671835B2|1994-10-20|1997-11-05|日本電気株式会社|スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法|

FI100409B|1994-11-28|1997-11-28|Asm Int|Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi|

FI97730C|1994-11-28|1997-02-10|Mikrokemia Oy|Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi|

FI97731C|1994-11-28|1997-02-10|Mikrokemia Oy|Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi|

US5527438A|1994-12-16|1996-06-18|Applied Materials, Inc.|Cylindrical sputtering shield|

US5663088A|1995-05-19|1997-09-02|Micron Technology, Inc.|Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer with amorphous diffusion barrier layer and method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer and amorphous diffusion barrier layer|

US5632873A|1995-05-22|1997-05-27|Stevens; Joseph J.|Two piece anti-stick clamp ring|

US5780361A|1995-06-23|1998-07-14|Nec Corporation|Salicide process for selectively forming a monocobalt disilicide film on a silicon region|

EP0972309A1|1995-06-28|2000-01-19|Telcordia Technologies, Inc.|Barrier layer for ferroelectric capacitor integrated on silicon|

KR0167248B1|1995-07-24|1999-02-01|문정환|반도체 기판의 전처리방법|

US5589039A|1995-07-28|1996-12-31|Sony Corporation|In-plane parallel bias magnetic field generator for sputter coating magnetic materials onto substrates|

EP0799903A3|1996-04-05|1999-11-17|Applied Materials, Inc.|Methods of sputtering a metal onto a substrate and semiconductor processing apparatus|

US6238533B1|1995-08-07|2001-05-29|Applied Materials, Inc.|Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer|

US5804488A|1995-08-24|1998-09-08|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Method of forming a tungsten silicide capacitor having a high breakdown voltage|

US5650052A|1995-10-04|1997-07-22|Edelstein; Sergio|Variable cell size collimator|

US6084302A|1995-12-26|2000-07-04|Micron Technologies, Inc.|Barrier layer cladding around copper interconnect lines|

EP0793271A3|1996-02-22|1998-12-02|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Semiconductor device having a metal silicide film and method of fabricating the same|

US6313035B1|1996-05-31|2001-11-06|Micron Technology, Inc.|Chemical vapor deposition using organometallic precursors|

US5736021A|1996-07-10|1998-04-07|Applied Materials, Inc.|Electrically floating shield in a plasma reactor|

US5916365A|1996-08-16|1999-06-29|Sherman; Arthur|Sequential chemical vapor deposition|

US6342277B1|1996-08-16|2002-01-29|Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc.|Sequential chemical vapor deposition|

TW351825B|1996-09-12|1999-02-01|Tokyo Electron Ltd|Plasma process device|

US5835677A|1996-10-03|1998-11-10|Emcore Corporation|Liquid vaporizer system and method|

US5923056A|1996-10-10|1999-07-13|Lucent Technologies Inc.|Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials|

US6071572A|1996-10-15|2000-06-06|Applied Materials, Inc.|Forming tin thin films using remote activated specie generation|

US6224312B1|1996-11-18|2001-05-01|Applied Materials, Inc.|Optimal trajectory robot motion|

US5886864A|1996-12-02|1999-03-23|Applied Materials, Inc.|Substrate support member for uniform heating of a substrate|

US5807792A|1996-12-18|1998-09-15|Siemens Aktiengesellschaft|Uniform distribution of reactants in a device layer|

JP4142753B2|1996-12-26|2008-09-03|株式会社東芝|スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法|

US6335280B1|1997-01-13|2002-01-01|Asm America, Inc.|Tungsten silicide deposition process|

US6221766B1|1997-01-24|2001-04-24|Steag Rtp Systems, Inc.|Method and apparatus for processing refractory metals on semiconductor substrates|

US20020019127A1|1997-02-14|2002-02-14|Micron Technology, Inc.|Interconnect structure and method of making|

US6174377B1|1997-03-03|2001-01-16|Genus, Inc.|Processing chamber for atomic layer deposition processes|

US5936831A|1997-03-06|1999-08-10|Lucent Technologies Inc.|Thin film tantalum oxide capacitors and resulting product|

US5902129A|1997-04-07|1999-05-11|Lsi Logic Corporation|Process for forming improved cobalt silicide layer on integrated circuit structure using two capping layers|

US6692617B1|1997-05-08|2004-02-17|Applied Materials, Inc.|Sustained self-sputtering reactor having an increased density plasma|

TW417249B|1997-05-14|2001-01-01|Applied Materials Inc|Reliability barrier integration for cu application|

US6156382A|1997-05-16|2000-12-05|Applied Materials, Inc.|Chemical vapor deposition process for depositing tungsten|

FI972874A0|1997-07-04|1997-07-04|Mikrokemia Oy|Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer|

US6073366A|1997-07-11|2000-06-13|Asm America, Inc.|Substrate cooling system and method|

US6287965B1|1997-07-28|2001-09-11|Samsung Electronics Co, Ltd.|Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor|

KR100269306B1|1997-07-31|2000-10-16|윤종용|저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법|

KR100261017B1|1997-08-19|2000-08-01|윤종용|반도체 장치의 금속 배선층을 형성하는 방법|

US5913145A|1997-08-28|1999-06-15|Texas Instruments Incorporated|Method for fabricating thermally stable contacts with a diffusion barrier formed at high temperatures|

US5879459A|1997-08-29|1999-03-09|Genus, Inc.|Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition|

US6197683B1|1997-09-29|2001-03-06|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact of semiconductor device using the same|

US6348376B2|1997-09-29|2002-02-19|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact and capacitor of semiconductor device using the same|

US5879523A|1997-09-29|1999-03-09|Applied Materials, Inc.|Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor|

US6071055A|1997-09-30|2000-06-06|Applied Materials, Inc.|Front end vacuum processing environment|

KR100274603B1|1997-10-01|2001-01-15|윤종용|반도체장치의제조방법및그의제조장치|

US6235634B1|1997-10-08|2001-05-22|Applied Komatsu Technology, Inc.|Modular substrate processing system|

JP3569133B2|1997-10-29|2004-09-22|Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社|半導体装置の製造方法|

US6861356B2|1997-11-05|2005-03-01|Tokyo Electron Limited|Method of forming a barrier film and method of forming wiring structure and electrodes of semiconductor device having a barrier film|

US6179983B1|1997-11-13|2001-01-30|Novellus Systems, Inc.|Method and apparatus for treating surface including virtual anode|

US6007403A|1997-11-17|1999-12-28|Urspringer; Steven E.|Flexible constrictor for inflatable bodies|

US5972430A|1997-11-26|1999-10-26|Advanced Technology Materials, Inc.|Digital chemical vapor deposition method for forming a multi-component oxide layer|

US6099904A|1997-12-02|2000-08-08|Applied Materials, Inc.|Low resistivity W using B2 H6 nucleation step|

FI104383B|1997-12-09|2000-01-14|Fortum Oil & Gas Oy|Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi|

KR100269328B1|1997-12-31|2000-10-16|윤종용|원자층 증착 공정을 이용하는 도전층 형성방법|

US6015917A|1998-01-23|2000-01-18|Advanced Technology Materials, Inc.|Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate|

US6074922A|1998-03-13|2000-06-13|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company|Enhanced structure for salicide MOSFET|

US6214731B1|1998-03-25|2001-04-10|Advanced Micro Devices, Inc.|Copper metalization with improved electromigration resistance|

KR100267885B1|1998-05-18|2000-11-01|서성기|반도체 박막증착장치|

KR100282853B1|1998-05-18|2001-04-02|서성기|연속기체분사에의한반도체박막증착장치|

NL1009327C2|1998-06-05|1999-12-10|Asm Int|Werkwijze en inrichting voor het overbrengen van wafers.|

KR100319888B1|1998-06-16|2002-01-10|윤종용|선택적 금속층 형성방법, 이를 이용한 커패시터 형성 및 콘택홀 매립방법|

KR100278657B1|1998-06-24|2001-02-01|윤종용|반도체장치의금속배선구조및그제조방법|

JP2000031387A|1998-07-14|2000-01-28|Fuji Electric Co Ltd|誘電体薄膜コンデンサの製造方法|

JP3375302B2|1998-07-29|2003-02-10|東京エレクトロン株式会社|マグネトロンプラズマ処理装置および処理方法|

US6592728B1|1998-08-04|2003-07-15|Veeco-Cvc, Inc.|Dual collimated deposition apparatus and method of use|

KR100275738B1|1998-08-07|2000-12-15|윤종용|원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법|

KR20000013654A|1998-08-12|2000-03-06|윤종용|원자층 증착 방법으로 형성한 알루미나/알루미늄나이트라이드복합 유전체막을 갖는 캐패시터와 그제조 방법|

GB2340845B|1998-08-19|2001-01-31|Kobe Steel Ltd|Magnetron sputtering apparatus|

KR20000022003A|1998-09-10|2000-04-25|이경수|금속과규소를포함한3성분질화물막의형성방법|

FI108375B|1998-09-11|2002-01-15|Asm Microchemistry Oy|Menetelmõ eristõvien oksidiohutkalvojen valmistamiseksi|

KR100287180B1|1998-09-17|2001-04-16|윤종용|계면 조절층을 이용하여 금속 배선층을 형성하는 반도체 소자의 제조 방법|

US6132575A|1998-09-28|2000-10-17|Alcatel|Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films|

US6251759B1|1998-10-03|2001-06-26|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for depositing material upon a semiconductor wafer using a transition chamber of a multiple chamber semiconductor wafer processing system|

KR100327328B1|1998-10-13|2002-05-09|윤종용|부분적으로다른두께를갖는커패시터의유전막형성방버뵤|

KR100297719B1|1998-10-16|2001-08-07|윤종용|박막제조방법|

US6454860B2|1998-10-27|2002-09-24|Applied Materials, Inc.|Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities|

US20030101938A1|1998-10-27|2003-06-05|Applied Materials, Inc.|Apparatus for the deposition of high dielectric constant films|

TW442891B|1998-11-17|2001-06-23|Tokyo Electron Ltd|Vacuum processing system|

JP3580159B2|1998-12-18|2004-10-20|東京エレクトロン株式会社|タングステン膜の成膜方法|

US6627995B2|2000-03-03|2003-09-30|Cvc Products, Inc.|Microelectronic interconnect material with adhesion promotion layer and fabrication method|

US6294836B1|1998-12-22|2001-09-25|Cvc Products Inc.|Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method|

KR100331544B1|1999-01-18|2002-04-06|윤종용|반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드|

US6165807A|1999-01-25|2000-12-26|Taiwan Smiconductor Manufacturing Company|Method for forming junction leakage monitor for mosfets with silicide contacts|

US6225176B1|1999-02-22|2001-05-01|Advanced Micro Devices, Inc.|Step drain and source junction formation|

US6540838B2|2000-11-29|2003-04-01|Genus, Inc.|Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition|

US6200893B1|1999-03-11|2001-03-13|Genus, Inc|Radical-assisted sequential CVD|

US6305314B1|1999-03-11|2001-10-23|Genvs, Inc.|Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition|

US6958174B1|1999-03-15|2005-10-25|Regents Of The University Of Colorado|Solid material comprising a thin metal film on its surface and methods for producing the same|

KR100273473B1|1999-04-06|2000-11-15|이경수|박막 형성 방법|

US6194315B1|1999-04-16|2001-02-27|Micron Technology, Inc.|Electrochemical cobalt silicide liner for metal contact fills and damascene processes|

KR100347379B1|1999-05-01|2002-08-07|주식회사 피케이엘|복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치|

FI118342B|1999-05-10|2007-10-15|Asm Int|Laite ohutkalvojen valmistamiseksi|

US6218298B1|1999-05-19|2001-04-17|Infineon Technologies North America Corp.|Tungsten-filled deep trenches|

US6365511B1|1999-06-03|2002-04-02|Agere Systems Guardian Corp.|Tungsten silicide nitride as a barrier for high temperature anneals to improve hot carrier reliability|

US6124158A|1999-06-08|2000-09-26|Lucent Technologies Inc.|Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants|

JP4726369B2|1999-06-19|2011-07-20|エー・エス・エムジニテックコリア株式会社|化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法|

US6524952B1|1999-06-25|2003-02-25|Applied Materials, Inc.|Method of forming a titanium silicide layer on a substrate|

KR100319494B1|1999-07-15|2002-01-09|김용일|원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치|

KR20010017820A|1999-08-14|2001-03-05|윤종용|반도체 소자 및 그 제조방법|

US6984415B2|1999-08-20|2006-01-10|International Business Machines Corporation|Delivery systems for gases for gases via the sublimation of solid precursors|

US6391785B1|1999-08-24|2002-05-21|Interuniversitair Microelektronica Centrum |Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes|

US6511539B1|1999-09-08|2003-01-28|Asm America, Inc.|Apparatus and method for growth of a thin film|

US6610596B1|1999-09-15|2003-08-26|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of forming metal interconnection using plating and semiconductor device manufactured by the method|

US6326297B1|1999-09-30|2001-12-04|Novellus Systems, Inc.|Method of making a tungsten nitride barrier layer with improved adhesion and stability using a silicon layer|

JP2001095821A|1999-09-30|2001-04-10|Lion Corp|歯間清掃具|

TW515032B|1999-10-06|2002-12-21|Samsung Electronics Co Ltd|Method of forming thin film using atomic layer deposition method|

US6398929B1|1999-10-08|2002-06-04|Applied Materials, Inc.|Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering|

FI117942B|1999-10-14|2007-04-30|Asm Int|Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi|

KR100737901B1|1999-10-15|2007-07-10|에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.|민감한 표면에 나노적층박막을 증착하는 방법|

US6902763B1|1999-10-15|2005-06-07|Asm International N.V.|Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces|

US6475276B1|1999-10-15|2002-11-05|Asm Microchemistry Oy|Production of elemental thin films using a boron-containing reducing agent|

FI117944B|1999-10-15|2007-04-30|Asm Int|Menetelmä siirtymämetallinitridiohutkalvojen kasvattamiseksi|

FI118158B|1999-10-15|2007-07-31|Asm Int|Förfarande för modifiering av utgångsämneskemikalierna i en ALD-prosess|

DE60028394T2|1999-10-15|2007-03-29|Asm International N.V.|Konforme auskleidungsschichten für damaszenmetallisierungen|

US6203613B1|1999-10-19|2001-03-20|International Business Machines Corporation|Atomic layer deposition with nitrate containing precursors|

KR100304714B1|1999-10-20|2001-11-02|윤종용|금속 할로겐 가스를 사용한 반도체 소자의 금속 박막 형성방법|

KR100341849B1|1999-11-05|2002-06-26|박종섭|반도체 소자의 금속 배선 형성 방법|

US6548112B1|1999-11-18|2003-04-15|Tokyo Electron Limited|Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a CVD chamber|

KR20010047128A|1999-11-18|2001-06-15|이경수|액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치|

JP2003517304A|1999-11-22|2003-05-27|ヒューマンジノームサイエンシーズ，インコーポレイテッド|クニッツ型プロテアーゼインヒビターポリヌクレオチド、ポリペプチド、および抗体|

US6534404B1|1999-11-24|2003-03-18|Novellus Systems, Inc.|Method of depositing diffusion barrier for copper interconnect in integrated circuit|

US6780704B1|1999-12-03|2004-08-24|Asm International Nv|Conformal thin films over textured capacitor electrodes|

KR100385946B1|1999-12-08|2003-06-02|삼성전자주식회사|원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자|

KR100330749B1|1999-12-17|2002-04-03|서성기|반도체 박막증착장치|

KR100705926B1|1999-12-22|2007-04-11|주식회사 하이닉스반도체|반도체 소자의 캐패시터 제조방법|

KR100624903B1|1999-12-22|2006-09-19|주식회사 하이닉스반도체|반도체 소자의 캐패시터 제조방법|

FI118343B|1999-12-28|2007-10-15|Asm Int|Laite ohutkalvojen valmistamiseksi|

FI118474B|1999-12-28|2007-11-30|Asm Int|Laite ohutkalvojen valmistamiseksi|

US6495854B1|1999-12-30|2002-12-17|International Business Machines Corporation|Quantum computing with d-wave superconductors|

US6475854B2|1999-12-30|2002-11-05|Applied Materials, Inc.|Method of forming metal electrodes|

JP4817210B2|2000-01-06|2011-11-16|東京エレクトロン株式会社|成膜装置および成膜方法|

FI20000099A0|2000-01-18|2000-01-18|Asm Microchemistry Ltd|Menetelmä metalliohutkalvojen kasvattamiseksi|

JP4362919B2|2000-02-04|2009-11-11|株式会社デンソー|原子層エピタキシャル成長法による成膜方法|

KR100378871B1|2000-02-16|2003-04-07|주식회사 아펙스|라디칼 증착을 위한 샤워헤드장치|

CN1314225A|2000-02-18|2001-09-26|德克萨斯仪器股份有限公司|铜镀层集成电路焊点的结构和方法|

DE60125338T2|2000-03-07|2007-07-05|Asm International N.V.|Gradierte dünne schichten|

US6274484B1|2000-03-17|2001-08-14|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company|Fabrication process for low resistivity tungsten layer with good adhesion to insulator layers|

TW576873B|2000-04-14|2004-02-21|Asm Int|Method of growing a thin film onto a substrate|

FI117979B|2000-04-14|2007-05-15|Asm Int|Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi|

US7060132B2|2000-04-14|2006-06-13|Asm International N.V.|Method and apparatus of growing a thin film|

FI117978B|2000-04-14|2007-05-15|Asm Int|Menetelmä ja laitteisto ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle|

KR100363088B1|2000-04-20|2002-12-02|삼성전자 주식회사|원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법|

US6759325B2|2000-05-15|2004-07-06|Asm Microchemistry Oy|Sealing porous structures|

US6482733B2|2000-05-15|2002-11-19|Asm Microchemistry Oy|Protective layers prior to alternating layer deposition|

FI118805B|2000-05-15|2008-03-31|Asm Int|Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon|

US6921712B2|2000-05-15|2005-07-26|Asm International Nv|Process for producing integrated circuits including reduction using gaseous organic compounds|

KR100427423B1|2000-05-25|2004-04-13|가부시키가이샤 고베 세이코쇼|Ｃｖｄ용 인너튜브|

KR100647442B1|2000-06-07|2006-11-17|주성엔지니어링|원자층 증착법을 이용한 박막 형성방법|

KR100403611B1|2000-06-07|2003-11-01|삼성전자주식회사|금속-절연체-금속 구조의 커패시터 및 그 제조방법|

US7253076B1|2000-06-08|2007-08-07|Micron Technologies, Inc.|Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers|

JP3687651B2|2000-06-08|2005-08-24|ジニテックインク．|薄膜形成方法|

KR100387255B1|2000-06-20|2003-06-11|주식회사 하이닉스반도체|반도체 소자의 금속 배선 형성 방법|

KR100332314B1|2000-06-24|2002-04-12|서성기|박막증착용 반응용기|

KR100332313B1|2000-06-24|2002-04-12|서성기|Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법|

US6620723B1|2000-06-27|2003-09-16|Applied Materials, Inc.|Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques|

US6551929B1|2000-06-28|2003-04-22|Applied Materials, Inc.|Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques|

US6585823B1|2000-07-07|2003-07-01|Asm International, N.V.|Atomic layer deposition|

US6592942B1|2000-07-07|2003-07-15|Asm International N.V.|Method for vapour deposition of a film onto a substrate|

FI20001694A0|2000-07-20|2000-07-20|Asm Microchemistry Oy|Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi substraatille|

KR100444149B1|2000-07-22|2004-08-09|주식회사 아이피에스|Ald 박막증착설비용 클리닝방법|

US6368954B1|2000-07-28|2002-04-09|Advanced Micro Devices, Inc.|Method of copper interconnect formation using atomic layer copper deposition|

KR100630666B1|2000-08-09|2006-10-02|삼성전자주식회사|금속 콘택 및 커패시터를 포함하는 반도체 소자 제조방법|

KR100396879B1|2000-08-11|2003-09-02|삼성전자주식회사|동일 물질로 이루어진 이중막을 포함하는 다중막으로캡슐화된 캐패시터를 구비한 반도체 메모리 소자 및 그의제조 방법|

US6302965B1|2000-08-15|2001-10-16|Applied Materials, Inc.|Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces|

US6903005B1|2000-08-30|2005-06-07|Micron Technology, Inc.|Method for the formation of RuSixOy-containing barrier layers for high-k dielectrics|

US6444263B1|2000-09-15|2002-09-03|Cvc Products, Inc.|Method of chemical-vapor deposition of a material|

US6527855B2|2000-10-10|2003-03-04|Rensselaer Polytechnic Institute|Atomic layer deposition of cobalt from cobalt metallorganic compounds|

KR100436941B1|2000-11-07|2004-06-23|주성엔지니어링|박막 증착 장치 및 그 방법|

US6355561B1|2000-11-21|2002-03-12|Micron Technology, Inc.|ALD method to improve surface coverage|

US6613695B2|2000-11-24|2003-09-02|Asm America, Inc.|Surface preparation prior to deposition|

DE60137791D1|2000-11-30|2009-04-09|Asm Int|Dünnfilme für magnetische vorrichtungen|

US20020104481A1|2000-12-06|2002-08-08|Chiang Tony P.|System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition |

WO2002045871A1|2000-12-06|2002-06-13|Angstron Systems, Inc.|System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition |

US6878402B2|2000-12-06|2005-04-12|Novellus Systems, Inc.|Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition|

US7348042B2|2001-03-19|2008-03-25|Novellus Systems, Inc.|Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition |

US6428859B1|2000-12-06|2002-08-06|Angstron Systems, Inc.|Sequential method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition |

US6949450B2|2000-12-06|2005-09-27|Novellus Systems, Inc.|Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber|

KR100386034B1|2000-12-06|2003-06-02|에이에스엠 마이크로케미스트리 리미티드|확산 방지막의 결정립계를 금속산화물로 충진한 구리 배선구조의 반도체 소자 제조 방법|

US6416822B1|2000-12-06|2002-07-09|Angstrom Systems, Inc.|Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition |

TW511135B|2000-12-06|2002-11-21|Angstron Systems Inc|Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber|

US20020197402A1|2000-12-06|2002-12-26|Chiang Tony P.|System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition |

KR100385947B1|2000-12-06|2003-06-02|삼성전자주식회사|원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법|

US20020144655A1|2001-04-05|2002-10-10|Chiang Tony P.|Gas valve system for a reactor|

US6630201B2|2001-04-05|2003-10-07|Angstron Systems, Inc.|Adsorption process for atomic layer deposition|

US20020076507A1|2000-12-15|2002-06-20|Chiang Tony P.|Process sequence for atomic layer deposition|

US20020076481A1|2000-12-15|2002-06-20|Chiang Tony P.|Chamber pressure state-based control for a reactor|

US20020073924A1|2000-12-15|2002-06-20|Chiang Tony P.|Gas introduction system for a reactor|

US20020144657A1|2001-04-05|2002-10-10|Chiang Tony P.|ALD reactor employing electrostatic chuck|

KR20020049875A|2000-12-20|2002-06-26|윤종용|반도체 메모리 소자의 강유전체 커패시터 및 그 제조방법|

JP3963078B2|2000-12-25|2007-08-22|株式会社高純度化学研究所|ターシャリーアミルイミドトリス（ジメチルアミド）タンタルとその製造方法及びそれを用いたｍｏｃｖｄ用原料溶液並びにそれを用いた窒化タンタル膜の形成方法|

KR20020056260A|2000-12-29|2002-07-10|박종섭|반도체 소자의 금속 게이트 형성방법|

US20020086111A1|2001-01-03|2002-07-04|Byun Jeong Soo|Method of forming refractory metal nitride layers using chemisorption techniques|

US6346477B1|2001-01-09|2002-02-12|Research Foundation Of Suny - New York|Method of interlayer mediated epitaxy of cobalt silicide from low temperature chemical vapor deposition of cobalt|

KR100434487B1|2001-01-17|2004-06-05|삼성전자주식회사|샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비|

KR100400031B1|2001-01-17|2003-09-29|삼성전자주식회사|반도체 소자의 콘택 플러그 및 그 형성 방법|

JP2002222934A|2001-01-29|2002-08-09|Nec Corp|半導体装置およびその製造方法|

US6951804B2|2001-02-02|2005-10-04|Applied Materials, Inc.|Formation of a tantalum-nitride layer|

US6844604B2|2001-02-02|2005-01-18|Samsung Electronics Co., Ltd.|Dielectric layer for semiconductor device and method of manufacturing the same|

KR100400033B1|2001-02-08|2003-09-29|삼성전자주식회사|다층 배선 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조방법|

EP1421607A2|2001-02-12|2004-05-26|ASM America, Inc.|Improved process for deposition of semiconductor films|

KR100395766B1|2001-02-12|2003-08-25|삼성전자주식회사|강유전체 기억 소자 및 그 형성 방법|

US6613656B2|2001-02-13|2003-09-02|Micron Technology, Inc.|Sequential pulse deposition|

US6326306B1|2001-02-15|2001-12-04|United Microelectronics Corp.|Method of forming copper dual damascene structure|

US20020117399A1|2001-02-23|2002-08-29|Applied Materials, Inc.|Atomically thin highly resistive barrier layer in a copper via|

US6660126B2|2001-03-02|2003-12-09|Applied Materials, Inc.|Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques|

US20020121241A1|2001-03-02|2002-09-05|Nguyen Anh N.|Processing chamber and method of distributing process fluids therein to facilitate sequential deposition of films|

US6734020B2|2001-03-07|2004-05-11|Applied Materials, Inc.|Valve control system for atomic layer deposition chamber|

FI109770B|2001-03-16|2002-10-15|Asm Microchemistry Oy|Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi|

JP3730962B2|2001-04-02|2006-01-05|松下電器産業株式会社|半導体装置の製造方法|

US6369430B1|2001-04-02|2002-04-09|Motorola, Inc.|Method of preventing two neighboring contacts from a short-circuit caused by a void between them and device having the same|

US6420189B1|2001-04-27|2002-07-16|Advanced Micro Devices, Inc.|Superconducting damascene interconnected for integrated circuit|

US6447933B1|2001-04-30|2002-09-10|Advanced Micro Devices, Inc.|Formation of alloy material using alternating depositions of alloy doping element and bulk material|

US6635965B1|2001-05-22|2003-10-21|Novellus Systems, Inc.|Method for producing ultra-thin tungsten layers with improved step coverage|

KR100363332B1|2001-05-23|2002-12-05|Samsung Electronics Co Ltd|Method for forming semiconductor device having gate all-around type transistor|

US6828218B2|2001-05-31|2004-12-07|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of forming a thin film using atomic layer deposition|

US6849545B2|2001-06-20|2005-02-01|Applied Materials, Inc.|System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques|

JP4680429B2|2001-06-26|2011-05-11|Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社|テキスト音声変換装置における高速読上げ制御方法|

TW539822B|2001-07-03|2003-07-01|Asm Inc|Source chemical container assembly|

US6936538B2|2001-07-16|2005-08-30|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics|

JP2005518088A|2001-07-16|2005-06-16|アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド|タングステン複合膜の形成|

US20040013803A1|2002-07-16|2004-01-22|Applied Materials, Inc.|Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process|

US20030198754A1|2001-07-16|2003-10-23|Ming Xi|Aluminum oxide chamber and process|

US6878206B2|2001-07-16|2005-04-12|Applied Materials, Inc.|Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques|

US7098131B2|2001-07-19|2006-08-29|Samsung Electronics Co., Ltd.|Methods for forming atomic layers and thin films including tantalum nitride and devices including the same|

US20030017697A1|2001-07-19|2003-01-23|Kyung-In Choi|Methods of forming metal layers using metallic precursors|

US7105444B2|2001-07-19|2006-09-12|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method for forming a wiring of a semiconductor device, method for forming a metal layer of a semiconductor device and apparatus for performing the same|

US7081409B2|2002-07-17|2006-07-25|Samsung Electronics Co., Ltd.|Methods of producing integrated circuit devices utilizing tantalum amine derivatives|

US20030015421A1|2001-07-20|2003-01-23|Applied Materials, Inc.|Collimated sputtering of cobalt|

US8110489B2|2001-07-25|2012-02-07|Applied Materials, Inc.|Process for forming cobalt-containing materials|

JP2005504885A|2001-07-25|2005-02-17|アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド|新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成|

US20030029715A1|2001-07-25|2003-02-13|Applied Materials, Inc.|An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems|

US20090004850A1|2001-07-25|2009-01-01|Seshadri Ganguli|Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications|

US20080268635A1|2001-07-25|2008-10-30|Sang-Ho Yu|Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications|

SG126681A1|2001-07-25|2006-11-29|Inst Data Storage|Oblique deposition apparatus|

EP1421606A4|2001-08-06|2008-03-05|Genitech Co Ltd|PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS|

US6820570B2|2001-08-15|2004-11-23|Nobel Biocare Services Ag|Atomic layer deposition reactor|

US6548906B2|2001-08-22|2003-04-15|Agere Systems Inc.|Method for reducing a metal seam in an interconnect structure and a device manufactured thereby|

US6806145B2|2001-08-31|2004-10-19|Asm International, N.V.|Low temperature method of forming a gate stack with a high k layer deposited over an interfacial oxide layer|

US20030042630A1|2001-09-05|2003-03-06|Babcoke Jason E.|Bubbler for gas delivery|

US6718126B2|2001-09-14|2004-04-06|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition|

AU2002333601A1|2001-09-14|2003-04-01|Asm America, Inc.|Metal nitride deposition by ald using gettering reactant|

US20030049931A1|2001-09-19|2003-03-13|Applied Materials, Inc.|Formation of refractory metal nitrides using chemisorption techniques|

KR20030025494A|2001-09-21|2003-03-29|삼성전자주식회사|루테늄막과 금속층간의 콘택을 포함하는 반도체 장치 및그의 제조 방법|

US6607976B2|2001-09-25|2003-08-19|Applied Materials, Inc.|Copper interconnect barrier layer structure and formation method|

US6936906B2|2001-09-26|2005-08-30|Applied Materials, Inc.|Integration of barrier layer and seed layer|

US20030059538A1|2001-09-26|2003-03-27|Applied Materials, Inc.|Integration of barrier layer and seed layer|

US20030057526A1|2001-09-26|2003-03-27|Applied Materials, Inc.|Integration of barrier layer and seed layer|

US6960537B2|2001-10-02|2005-11-01|Asm America, Inc.|Incorporation of nitrogen into high k dielectric film|

TW589684B|2001-10-10|2004-06-01|Applied Materials Inc|Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques|

TW512504B|2001-10-12|2002-12-01|Advanced Semiconductor Eng|Package substrate having protruded and recessed side edge|

US20030072884A1|2001-10-15|2003-04-17|Applied Materials, Inc.|Method of titanium and titanium nitride layer deposition|

US6916398B2|2001-10-26|2005-07-12|Applied Materials, Inc.|Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition|

US7780785B2|2001-10-26|2010-08-24|Applied Materials, Inc.|Gas delivery apparatus for atomic layer deposition|

AU2002343583A1|2001-10-29|2003-05-12|Genus, Inc.|Chemical vapor deposition system|

JP4342131B2|2001-10-30|2009-10-14|富士通マイクロエレクトロニクス株式会社|容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法|

US6423619B1|2001-11-30|2002-07-23|Motorola, Inc.|Transistor metal gate structure that minimizes non-planarity effects and method of formation|

US6773507B2|2001-12-06|2004-08-10|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition|

US7081271B2|2001-12-07|2006-07-25|Applied Materials, Inc.|Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride|

US6729824B2|2001-12-14|2004-05-04|Applied Materials, Inc.|Dual robot processing system|

US6939801B2|2001-12-21|2005-09-06|Applied Materials, Inc.|Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material|

US20030116087A1|2001-12-21|2003-06-26|Nguyen Anh N.|Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition|

US20030123216A1|2001-12-27|2003-07-03|Yoon Hyungsuk A.|Deposition of tungsten for the formation of conformal tungsten silicide|

US6674138B1|2001-12-31|2004-01-06|Advanced Micro Devices, Inc.|Use of high-k dielectric materials in modified ONO structure for semiconductor devices|

AU2003238853A1|2002-01-25|2003-09-02|Applied Materials, Inc.|Apparatus for cyclical deposition of thin films|

US6998014B2|2002-01-26|2006-02-14|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for plasma assisted deposition|

US6911391B2|2002-01-26|2005-06-28|Applied Materials, Inc.|Integration of titanium and titanium nitride layers|

US6866746B2|2002-01-26|2005-03-15|Applied Materials, Inc.|Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support|

US6824816B2|2002-01-29|2004-11-30|Asm International N.V.|Process for producing metal thin films by ALD|

US7063981B2|2002-01-30|2006-06-20|Asm International N.V.|Active pulse monitoring in a chemical reactor|

US6743340B2|2002-02-05|2004-06-01|Applied Materials, Inc.|Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor|

US6777352B2|2002-02-11|2004-08-17|Applied Materials, Inc.|Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing|

US6827978B2|2002-02-11|2004-12-07|Applied Materials, Inc.|Deposition of tungsten films|

US6833161B2|2002-02-26|2004-12-21|Applied Materials, Inc.|Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode|

US6972267B2|2002-03-04|2005-12-06|Applied Materials, Inc.|Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor|

US6753618B2|2002-03-11|2004-06-22|Micron Technology, Inc.|MIM capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation|

US20030216981A1|2002-03-12|2003-11-20|Michael Tillman|Method and system for hosting centralized online point-of-sale activities for a plurality of distributed customers and vendors|

US6720027B2|2002-04-08|2004-04-13|Applied Materials, Inc.|Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer|

US6846516B2|2002-04-08|2005-01-25|Applied Materials, Inc.|Multiple precursor cyclical deposition system|

US6875271B2|2002-04-09|2005-04-05|Applied Materials, Inc.|Simultaneous cyclical deposition in different processing regions|

US20030194825A1|2002-04-10|2003-10-16|Kam Law|Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display applications|

US7279432B2|2002-04-16|2007-10-09|Applied Materials, Inc.|System and method for forming an integrated barrier layer|

US6932871B2|2002-04-16|2005-08-23|Applied Materials, Inc.|Multi-station deposition apparatus and method|

US6778762B1|2002-04-17|2004-08-17|Novellus Systems, Inc.|Sloped chamber top for substrate processing|

US20030235961A1|2002-04-17|2003-12-25|Applied Materials, Inc.|Cyclical sequential deposition of multicomponent films|

US20030203616A1|2002-04-24|2003-10-30|Applied Materials, Inc.|Atomic layer deposition of tungsten barrier layers using tungsten carbonyls and boranes for copper metallization|

US20030213560A1|2002-05-16|2003-11-20|Yaxin Wang|Tandem wafer processing system and process|

US7164165B2|2002-05-16|2007-01-16|Micron Technology, Inc.|MIS capacitor|

KR100505043B1|2002-05-25|2005-07-29|삼성전자주식회사|커패시터 형성 방법|

US20030224217A1|2002-05-31|2003-12-04|Applied Materials, Inc.|Metal nitride formation|

US7910165B2|2002-06-04|2011-03-22|Applied Materials, Inc.|Ruthenium layer formation for copper film deposition|

US7404985B2|2002-06-04|2008-07-29|Applied Materials, Inc.|Noble metal layer formation for copper film deposition|

US7264846B2|2002-06-04|2007-09-04|Applied Materials, Inc.|Ruthenium layer formation for copper film deposition|

US7041335B2|2002-06-04|2006-05-09|Applied Materials, Inc.|Titanium tantalum nitride silicide layer|

US6743721B2|2002-06-10|2004-06-01|United Microelectronics Corp.|Method and system for making cobalt silicide|

US7005697B2|2002-06-21|2006-02-28|Micron Technology, Inc.|Method of forming a non-volatile electron storage memory and the resulting device|

KR100476926B1|2002-07-02|2005-03-17|삼성전자주식회사|반도체 소자의 듀얼 게이트 형성방법|

US6838125B2|2002-07-10|2005-01-04|Applied Materials, Inc.|Method of film deposition using activated precursor gases|

WO2004007800A1|2002-07-15|2004-01-22|Aviza Technology, Inc.|Thermal processing apparatus and method for evacuating a process chamber|

US6955211B2|2002-07-17|2005-10-18|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system|

US7186385B2|2002-07-17|2007-03-06|Applied Materials, Inc.|Apparatus for providing gas to a processing chamber|

US7066194B2|2002-07-19|2006-06-27|Applied Materials, Inc.|Valve design and configuration for fast delivery system|

KR100468852B1|2002-07-20|2005-01-29|삼성전자주식회사|캐패시터 구조체 형성 방법|

US6772072B2|2002-07-22|2004-08-03|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery|

US7300038B2|2002-07-23|2007-11-27|Advanced Technology Materials, Inc.|Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material|

US6921062B2|2002-07-23|2005-07-26|Advanced Technology Materials, Inc.|Vaporizer delivery ampoule|

US6915592B2|2002-07-29|2005-07-12|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for generating gas to a processing chamber|

KR100475084B1|2002-08-02|2005-03-10|삼성전자주식회사|Ｄｒａｍ 반도체 소자 및 그 제조방법|

KR100542736B1|2002-08-17|2006-01-11|삼성전자주식회사|원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법|

US6958300B2|2002-08-28|2005-10-25|Micron Technology, Inc.|Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides|

US6790773B1|2002-08-28|2004-09-14|Novellus Systems, Inc.|Process for forming barrier/seed structures for integrated circuits|

JP4188033B2|2002-08-30|2008-11-26|本田技研工業株式会社|油圧緩衝機の取付構造|

US6784096B2|2002-09-11|2004-08-31|Applied Materials, Inc.|Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias|

US6821563B2|2002-10-02|2004-11-23|Applied Materials, Inc.|Gas distribution system for cyclical layer deposition|

US20040065255A1|2002-10-02|2004-04-08|Applied Materials, Inc.|Cyclical layer deposition system|

US20040069227A1|2002-10-09|2004-04-15|Applied Materials, Inc.|Processing chamber configured for uniform gas flow|

US6905737B2|2002-10-11|2005-06-14|Applied Materials, Inc.|Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition|

US6936528B2|2002-10-17|2005-08-30|Samsung Electronics Co., Ltd.|Method of forming cobalt silicide film and method of manufacturing semiconductor device having cobalt silicide film|

JP2004140315A|2002-10-17|2004-05-13|Samsung Electronics Co Ltd|サリサイド工程を用いる半導体素子の製造方法|

US6716287B1|2002-10-18|2004-04-06|Applied Materials Inc.|Processing chamber with flow-restricting ring|

JP3992588B2|2002-10-23|2007-10-17|東京エレクトロン株式会社|成膜方法|

US7204886B2|2002-11-14|2007-04-17|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for hybrid chemical processing|

US7262133B2|2003-01-07|2007-08-28|Applied Materials, Inc.|Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line|

WO2004064147A2|2003-01-07|2004-07-29|Applied Materials, Inc.|Integration of ald/cvd barriers with porous low k materials|

JP4401656B2|2003-01-10|2010-01-20|パナソニック株式会社|半導体装置の製造方法|

US6868859B2|2003-01-29|2005-03-22|Applied Materials, Inc.|Rotary gas valve for pulsing a gas|

US6818094B2|2003-01-29|2004-11-16|Applied Materials, Inc.|Reciprocating gas valve for pulsing a gas|

US6994319B2|2003-01-29|2006-02-07|Applied Materials, Inc.|Membrane gas valve for pulsing a gas|

KR100485386B1|2003-04-08|2005-04-27|삼성전자주식회사|금속막 증착용 조성물 및 이를 이용한 금속막 형성 방법|

US7442415B2|2003-04-11|2008-10-28|Sharp Laboratories Of America, Inc.|Modulated temperature method of atomic layer deposition of high dielectric constant films|

US20040207093A1|2003-04-17|2004-10-21|Sey-Shing Sun|Method of fabricating an alloy cap layer over CU wires to improve electromigration performance of CU interconnects|

TW200506093A|2003-04-21|2005-02-16|Aviza Tech Inc|System and method for forming multi-component films|

US20050070126A1|2003-04-21|2005-03-31|Yoshihide Senzaki|System and method for forming multi-component dielectric films|

US6881437B2|2003-06-16|2005-04-19|Blue29 Llc|Methods and system for processing a microelectronic topography|

US7211508B2|2003-06-18|2007-05-01|Applied Materials, Inc.|Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials|

KR100539274B1|2003-07-15|2005-12-27|삼성전자주식회사|코발트 막 증착 방법|

KR100539278B1|2003-09-22|2005-12-27|삼성전자주식회사|코발트 실리사이드막 형성 방법 및 반도체 장치의 제조방법.|

US20050085031A1|2003-10-15|2005-04-21|Applied Materials, Inc.|Heterogeneous activation layers formed by ionic and electroless reactions used for IC interconnect capping layers|

US20060033678A1|2004-01-26|2006-02-16|Applied Materials, Inc.|Integrated electroless deposition system|

CN1890401A|2003-10-17|2007-01-03|应用材料公司|用含钴合金对铜进行选择性自引发无电镀覆|

CN1314225C|2003-10-24|2007-05-02|中兴通讯股份有限公司|一种基于xml文档实现开放电信业务的方法|

US20050095859A1|2003-11-03|2005-05-05|Applied Materials, Inc.|Precursor delivery system with rate control|

US20050104142A1|2003-11-13|2005-05-19|Vijav Narayanan|CVD tantalum compounds for FET get electrodes|

US20050153571A1|2003-11-17|2005-07-14|Yoshihide Senzaki|Nitridation of high-k dielectric films|

KR100555541B1|2003-12-23|2006-03-03|삼성전자주식회사|코발트 실리사이드막 형성방법 및 그 형성방법을 이용한반도체 장치의 제조방법|

US7064224B1|2005-02-04|2006-06-20|Air Products And Chemicals, Inc.|Organometallic complexes and their use as precursors to deposit metal films|

US7265048B2|2005-03-01|2007-09-04|Applied Materials, Inc.|Reduction of copper dewetting by transition metal deposition|

JP2007123853A|2005-09-28|2007-05-17|Ebara Corp|層形成方法、層形成装置、基材処理装置、配線形成方法、および基板の配線構造|

US20070108063A1|2005-09-28|2007-05-17|Ebara Corporation|Layer forming method, layer forming apparatus, workpiece processing apparatus, interconnect forming method, and substrate interconnect structure|

JP5060037B2|2005-10-07|2012-10-31|ルネサスエレクトロニクス株式会社|半導体装置の製造方法|

US7682946B2|2005-11-04|2010-03-23|Applied Materials, Inc.|Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition|

US20070210448A1|2006-03-10|2007-09-13|International Business Machines Corporation|Electroless cobalt-containing liner for middle-of-the-line applications|

TW200746268A|2006-04-11|2007-12-16|Applied Materials Inc|Process for forming cobalt-containing materials|

EP2047502A4|2006-06-30|2009-12-30|Applied Materials Inc|NANO CRYSTAL EDUCATION|

CN101159253A|2007-10-31|2008-04-09|日月光半导体制造股份有限公司|凸块下金属层结构、晶圆结构与该晶圆结构的形成方法|US8110489B2|2001-07-25|2012-02-07|Applied Materials, Inc.|Process for forming cobalt-containing materials|

TW200746268A|2006-04-11|2007-12-16|Applied Materials Inc|Process for forming cobalt-containing materials|

US8791018B2|2006-12-19|2014-07-29|Spansion Llc|Method of depositing copper using physical vapor deposition|

US8673080B2|2007-10-16|2014-03-18|Novellus Systems, Inc.|Temperature controlled showerhead|

DE102009023381A1|2009-05-29|2010-12-02|Grega, Samuel|Verfahren zur Herstellung von W-, Cr-, Mo-Schichten, deren Carbiden, Nitriden, Siliciden, mehrschichtigen Strukturen und Verbindungsstrukturen auf festen Substraten und Vorrichtung für deren Herstellung|

US10256142B2|2009-08-04|2019-04-09|Novellus Systems, Inc.|Tungsten feature fill with nucleation inhibition|

US10381266B2|2012-03-27|2019-08-13|Novellus Systems, Inc.|Tungsten feature fill with nucleation inhibition|

TW201125028A|2009-09-02|2011-07-16|Ulvac Inc|Method for forming co film and method for forming cu wiring film|

US10128261B2|2010-06-30|2018-11-13|Sandisk Technologies Llc|Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure|

US9984963B2|2015-02-04|2018-05-29|Sandisk Technologies Llc|Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure|

US10741572B2|2015-02-04|2020-08-11|Sandisk Technologies Llc|Three-dimensional memory device having multilayer word lines containing selectively grown cobalt or ruthenium and method of making the same|

JP5680892B2|2010-07-13|2015-03-04|株式会社アルバック|Ｃｏ膜形成方法|

US9926639B2|2010-07-16|2018-03-27|Applied Materials, Inc.|Methods for forming barrier/seed layers for copper interconnect structures|

US20120141667A1|2010-07-16|2012-06-07|Applied Materials, Inc.|Methods for forming barrier/seed layers for copper interconnect structures|

KR101223724B1|2010-10-25|2013-01-17|삼성디스플레이 주식회사|전자소자용 보호막 및 그 제조 방법|

JP2012174845A|2011-02-21|2012-09-10|Tokyo Electron Ltd|成膜方法及び半導体装置の製造方法|

JP5659041B2|2011-02-24|2015-01-28|東京エレクトロン株式会社|成膜方法および記憶媒体|

JP2012175073A|2011-02-24|2012-09-10|Tokyo Electron Ltd|成膜方法および記憶媒体|

SG192967A1|2011-03-04|2013-09-30|Novellus Systems Inc|Hybrid ceramic showerhead|

US8524600B2|2011-03-31|2013-09-03|Applied Materials, Inc.|Post deposition treatments for CVD cobalt films|

CN104272441A|2012-03-27|2015-01-07|诺发系统公司|钨特征填充|

US9330939B2|2012-03-28|2016-05-03|Applied Materials, Inc.|Method of enabling seamless cobalt gap-fill|

US8736056B2|2012-07-31|2014-05-27|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Device for reducing contact resistance of a metal|

US9540408B2|2012-09-25|2017-01-10|Entegris, Inc.|Cobalt precursors for low temperature ALD or CVD of cobalt-based thin films|

JP2014101564A|2012-11-21|2014-06-05|Ulvac Japan Ltd|コバルト膜の形成方法|

US9865501B2|2013-03-06|2018-01-09|Lam Research Corporation|Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer|

JP6310653B2|2013-07-08|2018-04-11|株式会社アルバック|Ｃｕ配線構造の形成方法|

US9090964B2|2013-12-19|2015-07-28|Intel Corporation|Additives to improve the performance of a precursor source for cobalt deposition|

JP6268008B2|2014-03-17|2018-01-24|東京エレクトロン株式会社|Ｃｕ配線の製造方法|

US9496145B2|2014-03-19|2016-11-15|Applied Materials, Inc.|Electrochemical plating methods|

US10741365B2|2014-05-05|2020-08-11|Lam Research Corporation|Low volume showerhead with porous baffle|

JP2015224227A|2014-05-28|2015-12-14|宇部興産株式会社|（アセチレン）ジコバルトヘキサカルボニル化合物の製造方法|

US9847289B2|2014-05-30|2017-12-19|Applied Materials, Inc.|Protective via cap for improved interconnect performance|

US9899234B2|2014-06-30|2018-02-20|Lam Research Corporation|Liner and barrier applications for subtractive metal integration|

US9349637B2|2014-08-21|2016-05-24|Lam Research Corporation|Method for void-free cobalt gap fill|

US9748137B2|2014-08-21|2017-08-29|Lam Research Corporation|Method for void-free cobalt gap fill|

US9997405B2|2014-09-30|2018-06-12|Lam Research Corporation|Feature fill with nucleation inhibition|

US9487860B2|2014-11-10|2016-11-08|L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude|Method for forming cobalt containing films|

US9758896B2|2015-02-12|2017-09-12|Applied Materials, Inc.|Forming cobalt interconnections on a substrate|

US10563305B2|2015-05-13|2020-02-18|Versum Materials Us, Llc|Container for chemical precursors in a deposition process|

US10170320B2|2015-05-18|2019-01-01|Lam Research Corporation|Feature fill with multi-stage nucleation inhibition|

US10023959B2|2015-05-26|2018-07-17|Lam Research Corporation|Anti-transient showerhead|

US9589897B1|2015-08-18|2017-03-07|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Trench liner for removing impurities in a non-copper trench|

US9741577B2|2015-12-02|2017-08-22|International Business Machines Corporation|Metal reflow for middle of line contacts|

US20170186944A1|2015-12-29|2017-06-29|International Business Machines Corporation|Enhancement of spin transfer torque magnetoresistive random access memory device using hydrogen plasma|

US10011903B2|2015-12-31|2018-07-03|L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude|Manganese-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition|

US9719167B2|2015-12-31|2017-08-01|L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude|Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition|

US9738971B2|2015-12-31|2017-08-22|L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude|Vapor deposition methods to form group 8-containing films|

US10438847B2|2016-05-13|2019-10-08|Lam Research Corporation|Manganese barrier and adhesion layers for cobalt|

US10793947B2|2016-08-14|2020-10-06|Entegris, Inc.|Alloys of Co to reduce stress|

US10573522B2|2016-08-16|2020-02-25|Lam Research Corporation|Method for preventing line bending during metal fill process|

JP2018073949A|2016-10-27|2018-05-10|東京エレクトロン株式会社|金属配線層形成方法、金属配線層形成装置および記憶媒体|

US20180135174A1|2016-11-01|2018-05-17|Versum Materials Us, Llc|Cobalt compounds, method of making and method of use thereof|

US10600685B2|2016-11-27|2020-03-24|Applied Materials, Inc.|Methods to fill high aspect ratio features on semiconductor substrates with MOCVD cobalt film|

US10211099B2|2016-12-19|2019-02-19|Lam Research Corporation|Chamber conditioning for remote plasma process|

US10443146B2|2017-03-30|2019-10-15|Lam Research Corporation|Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating|

US10242879B2|2017-04-20|2019-03-26|Lam Research Corporation|Methods and apparatus for forming smooth and conformal cobalt film by atomic layer deposition|

KR102341229B1|2017-07-18|2021-12-17|가부시키가이샤 고준도가가쿠 겐큐쇼|금속 박막의 원자층 퇴적 방법|

US10079177B1|2017-09-01|2018-09-18|United Microelectronics Corp.|Method for forming copper material over substrate|

US11028480B2|2018-03-19|2021-06-08|Applied Materials, Inc.|Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films|

US20190309422A1|2018-04-06|2019-10-10|Versum Materials Us, Llc|Spin-On Metallization|

EP3784815A4|2018-04-27|2021-11-03|Applied Materials, Inc.|PROTECTION OF COMPONENTS AGAINST CORROSION|

US11024801B2|2018-06-27|2021-06-01|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.|Diffusion layer for magnetic tunnel junctions|

US20200048760A1|2018-08-13|2020-02-13|Applied Materials, Inc.|High power impulse magnetron sputtering physical vapor deposition of tungsten films having improved bottom coverage|

US11009339B2|2018-08-23|2021-05-18|Applied Materials, Inc.|Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries|

US11124874B2|2018-10-25|2021-09-21|Applied Materials, Inc.|Methods for depositing metallic iridium and iridium silicide|

WO2020197892A1|2019-03-22|2020-10-01|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for deposition of metal nitrides|

US20210407852A1|2020-06-25|2021-12-30|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited|Semiconductor device including liner structure|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

US12/201,976|US9051641B2|2001-07-25|2008-08-29|Cobalt deposition on barrier surfaces|

US12/201,976||2008-08-29||

[返回顶部]